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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 化学电源 » 求助：硅负极表面包碳的一些疑问，还请各位前辈指教。
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2243628851

禁虫 (正式写手)
本帖内容被屏蔽

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1楼 2017-02-17 19:48:42
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2243628851

禁虫 (正式写手)
本帖内容被屏蔽
2楼2017-02-17 21:37:49
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2243628851

禁虫 (正式写手)
本帖内容被屏蔽
3楼2017-02-17 21:40:15
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方珺生

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
2243628851: 金币+5 2017-02-18 18:27:42
1.两个都有
2.会
3.不知道
4.不太明白，可否把那篇文献贴出来

事实上，不管包覆什么都是为了缓解，注意是缓解硅的体积膨胀问题之所以用碳是因为比硅体积膨胀效应小得多。把问题简化在简化，可以这么理解：裸硅表面形成SEI层然后硅膨胀4倍，吧唧,SEI碎了。包了碳以后，由于碳层的限制，硅不会膨胀到4倍，所以SEI层破碎会减轻很多，置于碳表面肯定也会形成SEI层，不过比硅来说要小很多。实际情况应该复杂很多吧
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墨染江山星满天，紫罗烂漫玉生烟
4楼2017-02-18 14:43:28
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tomljd

新虫 (初入文坛)
包碳试过，容量低了不少循环也没提升

发自小木虫IOS客户端
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5楼2017-02-18 15:39:53
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ywuweizi

版主 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
2243628851: 金币+30, ★★★★★最佳答案 2017-02-18 18:26:58
1. 600℃形成的是无定型碳，其本身具有脱嵌锂和导电子的作用。
2.包覆碳后减缓了硅的膨胀，硅膨胀360%，石墨10%。反复充放电过程中硅表面所形成的SEI膜经历不断的“形成——碎裂——在新鲜界面再形成”过程，SEI膜不断增厚。而碳包覆约束和缓冲硅体积膨胀，阻止电解液向中心渗透，保持稳定的界面和SEI。所以碳包覆后，SEI一般不会脱落。包覆效果不好时，即使硅膨胀，包覆的碳脱落，但是碳上面的SEI膜不会脱落。
3.纳米硅表面的SEI膜成分与石墨表面的SEI成分基本一致，并且在首次循环嵌锂过程中，能够生成较均匀、致密的SEI膜。所以硅负极表面的SEI膜与Si的结合力与碳表面SEI膜与碳的结合力基本一样，只不过硅膨胀造成SEI破裂。
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6楼2017-02-18 15:48:53
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古雨月林

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

你这个为什么要用导电聚合物，它最后都是变为碳了，和其他的没什么区别吧，另外有些文献有点脱离实际，了解下就行了
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7楼2017-03-16 17:47:17
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古雨月林

木虫 (著名写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by ywuweizi at 2017-02-18 15:48:53
1. 600℃形成的是无定型碳，其本身具有脱嵌锂和导电子的作用。
2.包覆碳后减缓了硅的膨胀，硅膨胀360%，石墨10%。反复充放电过程中硅表面所形成的SEI膜经历不断的“形成——碎裂——在新鲜界面再形成”过程，SEI膜 ...

碳包覆后电解液和纳米硅的直接接触不是应该减少了吗，会不会在碳层上面生成的SEI膜比仍有部分暴露的纳米硅表面还多，还是可能电解液能透过碳层和纳米硅接触生成SEI膜？
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8楼2017-03-16 17:53:13
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