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[求助]
关于反应等离子体蚀刻（RIE），求助专业人士解答~
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RIE是高度各向异性蚀刻，当垂直于wafer表面蚀刻时，可以蚀刻出笔直的坑，那么 那么请问RIE能对平行于wafer的方向进行横向的蚀刻吗，也就是当进行完垂直方向的时刻后， 再对蚀刻后的图案进行蚀刻使之变细？感谢！  1_副本.jpg |
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