| 查看: 508 | 回复: 0 | ||
[求助]
关于反应等离子体蚀刻（RIE），求助专业人士解答~
|
|
RIE是高度各向异性蚀刻，当垂直于wafer表面蚀刻时，可以蚀刻出笔直的坑，那么 那么请问RIE能对平行于wafer的方向进行横向的蚀刻吗，也就是当进行完垂直方向的时刻后， 再对蚀刻后的图案进行蚀刻使之变细？感谢！  1_副本.jpg |
回复此楼» 猜你喜欢
关于如何从代码看上不上会
已经有20人回复
-
chemdraw
已经有4人回复
-
大龄残疾硕士的一点执念
已经有24人回复
-
祈祷青基必中
已经有10人回复
-
b口会评
已经有6人回复
-
信息学部会评时间
已经有3人回复
-
在职考研
已经有7人回复
-
MSER送审了还被拒稿
已经有5人回复
-
硝基还原
已经有5人回复
-
化学口会评？应用基础研究和基础研究，希望能分开
已经有3人回复