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640 nm薄膜如何做正电湮没测寿命谱？
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本人样品为α-Al2O3 (100 nm)/Cr2O3 (60 nm)多层膜共640 nm厚，想做正电子湮没寿命谱(PAL)。但是，放射源为22Na，当它发生β+ 衰变时，主要产生动 能为0-540keV 的正电子，这些正电子能轻易穿透薄膜。 The stopping profile of positrons emitted is given by: P(x) = A exp(-Ax) where A = 16 × density [g·cm-3]/ (Emax^1.4 [MeV]) [cm-1]. Al2O3的密度为3.95 [g·cm-3], C2O3为5.22 [g·cm-3]，取平均4.5，算出 A = 190 cm-1, 也就是特征穿入深度为52 μm. 硅的密度为2.33，算出特征穿入深度为101.6 μm 本人设想在样品表面先覆盖一层0.1 μm的default-free硅，再做PAL不知是否可行？ |
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