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有何不可琼

银虫 (著名写手)

[求助] 在用VASP计算异质结电子性质时,怎么考虑应变的影响。 已有2人参与

我们在构建两个材料的异质结的时候,因为有个失配度的问题,所以总是会导致材料的拉伸或者压缩,也就引入了应变。我们需要怎样来考虑这些应变带来的影响呢?
我们计算建模导致的异质结和实验上可能不太一样。那么我们计算的结果,对类似的实验,有没有解释的意义呢?
求大神指教啊~

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优秀的研究员是自己学出来的
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有何不可琼

银虫 (著名写手)

引用回帖:
8楼: Originally posted by 827260864 at 2017-06-01 15:39:08
搭车学习,最近也在做异质结的工作,请教您失配能该怎么计算呀?...

两个初始晶格参数之差绝对值 / 合成异质结的晶格参数。

有好几种算法。

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优秀的研究员是自己学出来的
9楼2017-06-02 10:43:51
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jx在路上

金虫 (著名写手)

对于做计算的,界面的失配度的问题是不可避免的。只要失配度不大的话,就没问题。一般文献上报道的失配度是在小于3%.

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» 本帖已获得的红花(最新10朵)

2楼2017-01-10 18:31:32
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有何不可琼

银虫 (著名写手)

送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by jx在路上 at 2017-01-10 18:31:32
对于做计算的,界面的失配度的问题是不可避免的。只要失配度不大的话,就没问题。一般文献上报道的失配度是在小于3%.

比如像MoS2这种材料,好像对应变是比较敏感的,感觉好像还是需要考虑一下。

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优秀的研究员是自己学出来的
3楼2017-01-10 23:11:37
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风之子

木虫 (正式写手)

可以计算下晶格失配率,然后计算失配能,结合能,一般失配越小,失配能越越小(以上是模型面积差不多的情况,如果面积相差较大,得平均)

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你的孤独,虽败犹荣
4楼2017-01-11 23:19:17
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