| 查看: 1076 | 回复: 10 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
basanwuyu银虫 (小有名气)
|
[交流]
【求助】有关吸杂
|
||
|
请问：1.现目前吸杂提纯多晶硅还处在实验室阶段吗？ 2.外吸杂（磷、铝吸杂、磷-铝联合吸杂此三种吸杂方式）现目前最好的能提纯到几个N？ 改错：“1.现目前吸杂提纯多晶硅还处在实验室阶段吗？”是我自己问问题问错了，我把吸杂理解成为一种提纯正多晶硅的方法了，多亏热心的虫友们帮我纠正，对！我自己经过再三求证后知道了，这原来是一种太阳能电池工艺，ddx-k 的说法是正确的。 “ 2.外吸杂（磷、铝吸杂、磷-铝联合吸杂此三种吸杂方式）现目前最好的能提纯到几个N？”由1知，外吸杂只是一种工艺而不是一种提纯方法，所以问提纯到几个N，这种提问方式也错了。 呵呵，让大家见笑了只哈，我 是研一的新生，刚涉及到此领域，以后请大家多多指教！ 小木虫论坛，真的是一个讨论学术 的地方，这个地方让我感到了无尽的温暖。我 会努力地奋斗以不断加深我的相关知识，以后我就可以为其他虫友们做一点我力所能及的事了。 呵呵，再次感谢大家的回帖！ [ Last edited by basanwuyu on 2008-12-13 at 10:20 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
售SCI一区文章，我:8.O.551.O.5.4,科目全,可伽急
已经有8人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可伽急
已经有3人回复
-
明天应该可查了！？
已经有5人回复
-
如果此刻你正在为国基感到焦虑，不妨来听听这首《基金之外》
已经有7人回复
-
没有任何消息-是不是就凉了
已经有8人回复
-
售SCI-T0P文章，我:8O.5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有3人回复
-
人气不行了
已经有10人回复
-
我面上完蛋了
已经有10人回复
-
能否退出参与的面上项目解除限项
已经有24人回复
-
filecode，4个jtjc了
已经有17人回复
2楼2008-12-11 18:09:27
3楼2008-12-12 12:30:16
stardom427
木虫 (著名写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 4253
- 红花: 2
- 帖子: 2139
- 在线: 366.3小时
- 虫号: 368091
- 注册: 2007-05-11
- 性别: GG
- 专业: 无机非金属类光电信息与功
4楼2008-12-12 15:29:41
★
basanwuyu(金币+1,VIP+0):谢谢参与
basanwuyu(金币+1,VIP+0):谢谢参与
  [ Last edited by wzyong123 on 2008-12-12 at 19:10 ] |
5楼2008-12-12 15:44:18
6楼2008-12-12 17:29:15
zwq955
木虫 (著名写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 2335.5
- 红花: 1
- 沙发: 30
- 帖子: 1107
- 在线: 180小时
- 虫号: 656775
- 注册: 2008-11-18
- 性别: GG
- 专业: 无机非金属类光电信息与功
顶下 7楼2008-12-17 10:25:50
orchid8299
金虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 1551.5
- 散金: 241
- 帖子: 727
- 在线: 505.6小时
- 虫号: 703760
- 注册: 2009-02-18
- 专业: 半导体材料
8楼2009-06-25 20:50:23
basanwuyu
银虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 384.8
- 帖子: 212
- 在线: 4.8小时
- 虫号: 564037
- 注册: 2008-05-26
- 性别: GG
- 专业: 可再生与替代能源利用中的
友好交流！
|
1.估且就用“工业化这个词吧”，，铝吸杂已工业化了！吸杂在多晶硅太阳能电池生产而言是一项必须的工艺，而铝吸杂、磷吸杂是很成熟也是很常用的吸杂工艺，已在生产实践中大量使用的工艺了。这里所说的生产实践中大量使用都是针对铸造多晶硅或是西门子法多晶硅提纯的不是很纯的硅片（现在的吸杂文献中的硅片都是铸造多晶硅为主，或是西门子法多晶硅提纯的不是很纯的硅片），另外：冶金法多晶硅的吸杂还未见有文献报道。因为冶金法多晶硅正处于大力攻关阶段。还有就是用同一条件对不同种类的硅片吸杂，其效果是不相同或是大大地不相同的。 2.铝吸杂工艺：在硅片（厚：250um左右，厚了吸杂效果不好，这样的厚度也是符合太阳能电池的，况且太厚了成本也高）表面镀上一层铝膜，然后在一热处理炉子中进行热处理，把握好实验条件就是铝吸杂了。另外：铝吸杂的原理，利用金属杂质在铝硅合金中的溶解度（此处指固溶度）及在硅中溶解度不同来达到吸杂目的的。 3.铝吸杂完了过后去除吸杂层，就是将吸杂后的硅片放在一定比例的HF与HNO3混合溶液中，1分钟左右（当然要视具体情况而定时间）就去除了吸杂层了，这是根据常温下：硅只会和HF或HF的混合溶液发生化学反应。 [ Last edited by basanwuyu on 2009-6-26 at 16:41 ] |
9楼2009-06-26 12:25:20
orchid8299
金虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 1551.5
- 散金: 241
- 帖子: 727
- 在线: 505.6小时
- 虫号: 703760
- 注册: 2009-02-18
- 专业: 半导体材料
10楼2009-07-01 22:28:12
20