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guoguo1829金虫 (小有名气)
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从NanoKorea 2008国际展看纳米技术的最新进展
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第八届韩国国际纳米技术展『NanoKorea 2008』于首尔近郊之高阳市KINTEX国际展览中心盛大展开。本次纳米技术展分为研讨会与展览两大部分，研讨会主题共包含纳米电子、纳米材料、纳米制造、纳米量测与模拟、纳米能源材料、纳米生态科技以及纳米医药等七大主题；展览区共计有187家来自世界各国的厂商参展，展览之主题内容大致可归纳纳米材料、纳米电子、生化科技、能源与环境、分析检测以及纳米制造技术等项目。本次研讨会参观重点主要着重于纳米材料、能源材料以及纳米碳管相关应用部分，其内容重点分述如下。 Speaker: Seoug Jun Kang (Korea Research Institute of Standard and Science)纳米碳管自发展以来在电子方面的应用及受到大家的瞩目，尤其近期软性电子的迅速开发，传统FET之制备方式已无法满足趋势。为因应此潮流，已有诸多研究发展Si及GaAs之微米或纳米线(ribbon/wire)，此类材料在大尺寸软板应用上具有一定之柔韧性，且呈现相当不错的电性，使用频率分别可达~600 MHz以及1.5 GHz，电子迁移率可达~600 cm但特性仍有待提升。另一方面，SWNT依旋度不同可进一步区分为半导性及金属性，半导性CNT的电子迁移率为单晶Si的20倍，而金属性之CNT所能承受之电流密度超过Cu的一千倍。研究指出，利用定向成长形成之CNT数组所制备之FET，其电子迁移率可高达1100 cm。但CNT应用上之问题点仍在于如何将CNT布于所需之空间，现阶段于软板上并无法直接成长CNT，必须透过后加工之方式达成。 作者所开发之技术包含CNT水平定向成长以及转印技术之开发，可依不同顺序组合制备多层超结构SWNT layout。定向成长同样采用CVD制程，触媒为电子束蒸镀之Fe；转印技术则先在CNT数组上沈积Au及PI层，接以PDMS之stamp将CNT转移至所需基材，尔后再将PI及Ag蚀刻移除即可，该法转移率可高达九成以上。结果显示定相排列之CNT数组较随机排列有较佳之电性，在density of tutbe/tube junction约为1.4 junction/um片电阻约为66.5 kΩ/□。 第八届韩国国际纳米技术展『NanoKorea 2008』于首尔近郊之高阳市KINTEX国际展览中心盛大展开。本次纳米技术展分为研讨会与展览两大部分，研讨会主题共包含纳米电子、纳米材料、纳米制造、纳米量测与模拟、纳米能源材料、纳米生态科技以及纳米医药等七大主题；展览区共计有187家来自世界各国的厂商参展，展览之主题内容大致可归纳纳米材料、纳米电子、生化科技、能源与环境、分析检测以及纳米制造技术等项目。本次研讨会参观重点主要着重于纳米材料、能源材料以及纳米碳管相关应用部分，其内容重点分述如下。 Speaker: Seoug Jun Kang (Korea Research Institute of Standard and Science)纳米碳管自发展以来在电子方面的应用及受到大家的瞩目，尤其近期软性电子的迅速开发，传统FET之制备方式已无法满足趋势。为因应此潮流，已有诸多研究发展Si及GaAs之微米或纳米线(ribbon/wire)，此类材料在大尺寸软板应用上具有一定之柔韧性，且呈现相当不错的电性，使用频率分别可达~600 MHz以及1.5 GHz，电子迁移率可达~600 cm但特性仍有待提升。另一方面，SWNT依旋度不同可进一步区分为半导性及金属性，半导性CNT的电子迁移率为单晶Si的20倍，而金属性之CNT所能承受之电流密度超过Cu的一千倍。研究指出，利用定向成长形成之CNT数组所制备之FET，其电子迁移率可高达1100 cm。但CNT应用上之问题点仍在于如何将CNT布于所需之空间，现阶段于软板上并无法直接成长CNT，必须透过后加工之方式达成。 作者所开发之技术包含CNT水平定向成长以及转印技术之开发，可依不同顺序组合制备多层超结构SWNT layout。定向成长同样采用CVD制程，触媒为电子束蒸镀之Fe；转印技术则先在CNT数组上沈积Au及PI层，接以PDMS之stamp将CNT转移至所需基材，尔后再将PI及Ag蚀刻移除即可，该法转移率可高达九成以上。结果显示定相排列之CNT数组较随机排列有较佳之电性，在density of tutbe/tube junction约为1.4 junction/um片电阻约为66.5 kΩ/□。 演讲者首先针对印刷技术在印刷电子(printed electronics)之重要性进行介绍，该制程优点包括成本低廉(以TFT-LCD为例，成本最多可降70%)、适于软性电子应用及制程环保等。而导电胶之开发为目前印刷电子发展重点，现今所开发之高导电之导电胶皆为银胶，虽其导电度高且安定，但价格昂贵，在制程成本上较不具竞争优势。LG Chem现正着手开发导电铜胶，铜胶虽在价格上有明显优势，但现阶段导电特性上仍无法达到需求，主要受制于纳米铜的化学与热稳定性较差，纳米铜在高温甚至室温环境下容易于表面产生氧化铜，因此在后续锻烧时仍无法移除晶界(boundary)间之钝性氧化层，使铜无法形成连续相之导电通路。该研究团队提出以Cu先驱物与Cu同时锻烧，希望藉Cu之先驱物在锻烧时可在boundary处生成Cu而降低电阻；该利用Copper acetate形成Cu纳米颗粒，再使用poly acrylamide (PAM)与之反应造成Cu离子的migration及自还原反应形成Cu晶体。该法制备之电极在500 oC热处理1分钟仍可维持相当之导电度，其导电率约为3 x 10 开发一种新型结构化之凝胶(structured gel)，其光学特性可因外在环境之改变而进行调控，其变因包括湿度、盐度、温度以及气氛等，该结构化凝胶可作为一种快速且便宜之化学感应器。作者利用block copolymer的自发性自组装能力控制成不同形貌，该研究选择polystyrene (PS)以及poly-2-vinyl-pyridine (P-2VP)两种材质交替堆栈而成，因PS结构不随环境变化而改变，藉由保持PS层之厚度，并让P-2VP链上带正电而形成电解质链，其体积在不同水分湿度下可产生超过1000倍之膨胀，而因光线干涉效应而改变颜色，其颜色可含括整个可见光光谱范围，反应时间小于0.1秒。另外，透过材质与结构之调整，可分别反应不同盐类浓度、不同碳链长度烷类环境之变化，在传感器之应用极具发展潜力。 (CIGS)为目前非Si系太阳能电池材料主要开发材料，目前所报导之最高光转换效率分别为16.5%和19.7%。CdS/CdTe太阳能电池组件是以一异质之pn接面概念建立，而良好之金属/p-CdTe奥姆接触(ohmic contact)将成为组件稳定度以及寿命之关键。作者发现在金属/II-VI族材料之界面会产生费米能阶钉扎效应(Fermi level pinning)，而提出一新模型。根据模型，经后沉积热处理之CdTe仍维持n型半导体，组件将成为一n-n异质接面之组合，且于CdTe/Metal界面有一较大之萧基能障(Schottky barrier)。依据前述模型，为了提升吸收效能，可选用多层材料结构并依能阶大小顺向排列形成梯度能障(Graded bandgap)之太阳能电池结构，且该概念已由MOCVD成长之GaAs/AlGaAs系统证实其可行性。此外，相较于具穿隧接面(tunnel junction)之堆栈型(Tandem)太阳能电池，该能阶结构降低电子电洞再结合之机率，而提升转换效率。 [ Last edited by guoguo1829 on 2008-12-11 at 10:01 ] |
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