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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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litanty

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】有关黄铜矿结构光吸收层材料

有关此种材料,根据文献报道需要制备Cu-rich然后刻蚀才能制备好的电池,但是只是Cu-rich的材料无二极管特性,In-rich的材料制备的电池效率较低。值得关注的是In-rich的材料不是n型么?怎么可能制备出p-n结呢?而又有报道说刻蚀后的材料是n型的,很是糊涂。有人能说明下到底什么样子的材料可以应用于光吸收层材料呐~

感谢大家 我已经弄明白这个问题了
实际上CIGS及CIS吸收层表面都通过特殊的工艺造成N型 Cu-poor材料,形成掩埋结 同质pn结 进而减少因为晶格不匹配造成的电池效率下降。CuInS2中Cu-poor的材料结晶性能很差,故采用Cu-rich材料作为吸收层并用KCN对其表面的Cu-S相进行刻蚀处理。大家还有什么疑问可以提出

[ Last edited by litanty on 2009-9-28 at 14:08 ]
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xufei015

金虫 (正式写手)


ppjason(金币+1,VIP+0):谢谢参与 9-25 11:18
不清楚,帮你顶顶
2楼2008-12-10 19:06:25
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II

★ ★
zt970831(金币+2,VIP+0):感谢您的交流
你说的是铜铟硒太阳能电池吧,cu-rich是p型,in-Rich是n型,这样就是pn结了。这就可以了。
能构成pn结的材料都可以做吸收层。
3楼2008-12-10 19:39:40
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litanty

金虫 (小有名气)

ddx-k(金币+0,VIP+0):你把文章传上来,我们看看。
一般的铜铟硒电池是CuInSe2作为p型ZAO作为n型,富铜的为p型。那为什么文献报道富铜CuInSe2材料无二极管特性,也就是不能作为吸收层来使用,这是为什么呐?
4楼2008-12-11 13:00:20
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yupo54

新虫 (小有名气)

我回答你,Cu是+1价的
5楼2009-08-10 00:03:06
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yupo54

新虫 (小有名气)

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
ddx-k(金币+1,VIP+0): 9-23 20:32
富Cu一定是P型,而富In可能是N也可能是P型
6楼2009-08-13 14:56:50
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chenguang5895

木虫 (著名写手)

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
ddx-k(金币+1,VIP+0): 9-23 20:32
CIGS是作为p-type使用的。
其上层的CdS, znO, 都是n-type的
而在做device的时候,最好是用cu-poor的CIGS。
这是缺陷的问题。
你可以看看CIGS的缺陷的相关资料就可以了
7楼2009-08-20 17:05:16
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mse_wuwb

金虫 (小有名气)

有些明白,还有些糊涂!顶一下吧,看还有没有更好的解释
8楼2009-09-23 16:42:59
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litanty

金虫 (小有名气)


ppjason(金币+1,VIP+0):谢谢你的总结,并反馈,希望把这些结论直接编辑进你的主题中,谢谢 9-25 11:27
感谢大家 我已经弄明白这个问题了
实际上CIGS及CIS吸收层表面都通过特殊的工艺造成N型 Cu-poor材料,形成掩埋结 同质pn结 进而减少因为晶格不匹配造成的电池效率下降。
9楼2009-09-25 10:00:09
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