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sunxianwen银虫 (正式写手)
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【求助完成】肖特基势垒
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请帮忙解释"肖特基势垒,,外延异质肖特基结构," [ Last edited by sunxianwen on 2008-12-10 at 11:26 ] |
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2楼2008-12-09 20:34:17
sunxianwen
银虫 (正式写手)
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肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接面，就如同二极管具有整流特性。肖特基势垒相较于PN接面最大的区别在于具有较低的接面电压，以及在金属端具有相当薄的(几乎不存在)空乏区宽度。 并非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金属-半导体接面则称为欧姆接触。整流属性决定于金属的功函、固有半导体的能隙，以及半导体的掺杂类型及浓度。 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 [ Last edited by sunxianwen on 2008-12-10 at 11:04 ] |
3楼2008-12-10 10:57:23
4楼2008-12-19 17:31:25