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czcdxmc

木虫 (正式写手)

MEMS小学生

[交流] ICP刻蚀机

ICP进行O2 clean程式,在裸硅片上形成一层黑色的碳化物,不知如何去除?
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学海无涯,回头是岸。
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perry_ping

新虫 (著名写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
是不是氧气量太大了,我们也出现过一次这样

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2楼2016-12-16 08:30:26
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czcdxmc

木虫 (正式写手)

MEMS小学生

引用回帖:
2楼: Originally posted by perry_ping at 2016-12-16 08:30:26
是不是氧气量太大了,我们也出现过一次这样

和氧气量没关吧。腔室不干净,多做几次后,裸硅片表面就不会有了,此时腔室就干净了。

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3楼2016-12-17 18:22:27
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我是大百菜

新虫 (正式写手)


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引用回帖:
3楼: Originally posted by czcdxmc at 2016-12-17 18:22:27
和氧气量没关吧。腔室不干净,多做几次后,裸硅片表面就不会有了,此时腔室就干净了。
...

你遇见过上电极非常脏,类似有积碳吸附上去了。的情况。

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4楼2017-08-29 16:57:25
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czcdxmc

木虫 (正式写手)

MEMS小学生

引用回帖:
4楼: Originally posted by 我是大百菜 at 2017-08-29 16:57:25
你遇见过上电极非常脏,类似有积碳吸附上去了。的情况。
...

刻蚀SiO和SiN工艺时间过长后,会在上电极形成黄色的沉积物。应该不是碳。
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5楼2017-11-02 10:32:23
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