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mylifecg

木虫 (正式写手)

[求助] 如何从电子占据轨道角度分析杂质态已有1人参与

如下图,掺杂后,出现了杂质态,由于个人理论知识匮乏,求高手帮忙一下,如何从电子占据轨道的角度方面分析掺杂后体系出现的杂质能级?附上bader电荷。其中两个图中给出的Si和C都是与掺杂原子H最近近邻的host atom.(最近邻的Si有4个,这里只给出了一个)

如何从电子占据轨道角度分析杂质态
bader charge.png


如何从电子占据轨道角度分析杂质态-1
PDOS.png
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2楼2016-12-06 09:27:28
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mylifecg

木虫 (正式写手)

自己顶一个!
3楼2016-12-06 14:10:25
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obaica

禁言 (著名写手)

本帖内容被屏蔽

4楼2016-12-06 19:42:03
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mylifecg

木虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by mylifecg at 2016-12-06 14:10:25
自己顶一个!

5楼2016-12-10 09:31:31
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W.Z.Zhou

捐助贵宾 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
mylifecg(蛋蛋小童鞋代发): 金币+5, 谢谢参与,小木虫鼓励积极回答问题者 2016-12-19 19:59:52
直接把PDOS描述一遍就行了吧,掺杂使其由半导体变成金属,杂质态由C和Si贡献。
幸福也罢,苦难也罢,都来自外界,坚毅则来自内心,来自一个人自身的努力。
6楼2016-12-19 17:20:31
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开水白菜2

木虫 (正式写手)

掺杂后H的s轨道分布也需要在DOS中给出吧?
世事如常常如是,岁岁亦秋秋易碎。
7楼2017-01-09 10:39:28
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