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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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杨魁健

木虫 (小有名气)

[求助] 关于禁带宽度

我想问一下,indirect gap 或者direct gap 的大小是禁带宽度的大小吗?两者有什么关系,请求大神帮助,谢谢啦
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652746115

木虫 (著名写手)

金虫

梦的方向
2楼2016-12-05 22:00:50
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zhou周

银虫 (小有名气)

是的,对于半导体,绝缘体来说,带隙值的大小就是禁带宽度

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3楼2016-12-05 23:57:20
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zhou周

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
杨魁健: 金币+3, 有帮助 2016-12-06 08:51:31
杨魁健: 金币+3, ★★★很有帮助 2016-12-08 18:35:12
是的,对于半导体,绝缘体来说,带隙值的大小就是禁带宽度

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4楼2016-12-05 23:58:27
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材料一学生

金虫 (正式写手)

5楼2016-12-06 00:11:14
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日月光辉

木虫 (小有名气)

感觉你把概念混在一起了。你首先要了解能带图。能带图中电子不允许存在的地方称之禁带,也就是态密度为0的地方。人们通常指的禁带宽度是半导体中导带底和价带顶的能量差,这个禁带区的电子容易收到能量的激励在导带和价带间跃迁,从而改变材料电学、磁学和光学性质。这个禁带宽度普遍称为band gap,就是带隙。你说的间接带隙和直接带隙是两种不同的形式。价带底和导带顶在同一方向上的是直接带隙,不同方向的是间接带隙。注意是在倒空间,倒空间的横坐标是波矢,对应动量。区别就在于光电作用时是否需要声子参与。我讲的是基础模型。具体的化合物会更复杂。具体问题具体分析。

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6楼2016-12-06 06:27:54
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杨魁健

木虫 (小有名气)

引用回帖:
6楼: Originally posted by 日月光辉 at 2016-12-06 06:27:54
感觉你把概念混在一起了。你首先要了解能带图。能带图中电子不允许存在的地方称之禁带,也就是态密度为0的地方。人们通常指的禁带宽度是半导体中导带底和价带顶的能量差,这个禁带区的电子容易收到能量的激励在导带 ...

insulator with an indirect gap of 4.69eV,那这句话的意思就是绝缘体的禁带宽度是4.69ev是吗
7楼2016-12-06 10:25:36
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日月光辉

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
杨魁健: 金币+7, ★★★★★最佳答案 2016-12-06 15:30:46
引用回帖:
7楼: Originally posted by 杨魁健 at 2016-12-06 10:25:36
insulator with an indirect gap of 4.69eV,那这句话的意思就是绝缘体的禁带宽度是4.69ev是吗...

对的。带隙的类型是间接带隙。

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8楼2016-12-06 14:53:23
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