应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 成型与控制 » 反应磁控溅射 - 求高人解答
122/2返回列表上一页12
查看: 1656  |  回复: 11
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

reallife

木虫 (著名写手)
引用回帖:
10楼: Originally posted by liguojing at 2017-02-14 10:09:39
想问一下群主是怎样掺杂的？

通过共溅射。控制溅镀参数可以控制掺杂量
赞一下 回复此楼
11楼2017-02-14 18:01:44
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

征梦小子

银虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
5楼: Originally posted by cz.87101 at 2016-11-24 21:37:52
1）基板在上面薄膜相对质量更好， 减少靶面及shield上的累积的异物掉落。一般生产用都是基板在上面，或侧面；
2）反应溅射工艺参数不变的情况下，沉积还是很稳定的，可能还是设备没调好；
    建议仔细看下每次的 ...

你好，想请问你一下，为什么Al反应溅射的时候，只能起辉没有沉积东西，用射频和直流脉冲两个都溅射过，那个参数的话，射频用的是100W，直流脉冲为80W，气氛比Ar：O2为2：1，Al靶为三寸的靶材。请问这是什么问题？
赞一下 回复此楼
12楼2018-12-12 10:33:29
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 reallife 的主题更新
122/2返回列表上一页12
普通表情 龙 兔 虎 猫 高级回复 (可上传附件)
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭