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[交流]
MS掺杂原子所形成的缺陷复合物生成能的计算
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大家好！我是一名研二的学生，由于我们的课题组从来没有做过有关第一性原理计算的工作，因此在这方面缺乏相关领域老师的指导。目前，老师叫我计算一下有关掺杂原子所形成的缺陷复合物生成能的计算。尽管自己看了很多有关第一性原理的文献，但是仍然感觉自己是菜鸟一枚。因此想请教一下相关领域的前辈！ 问题：比如我用低价的1mol%C原子去取代BO3中高价的B原子，这样C原子会与产生的氧空位形成相关的缺陷复合物。请问怎样建模及计算呢？ |
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骏驰青峰(金币+1): 谢谢参与
漫天飘雪: 金币+2, 谢谢交流 2016-11-23 16:51:43
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漫天飘雪: 金币+2, 谢谢交流 2016-11-23 16:51:43
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我现在就是用第一性原理做缺陷这一块的，你可以用MS建模，然后用vesta导出，在用VASP进行计算。可以计算出能带，态密度，电荷密度等 发自小木虫Android客户端 |
6楼2016-11-23 16:34:30
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2楼2016-11-23 16:28:14
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3楼2016-11-23 16:29:30
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4楼2016-11-23 16:31:57
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5楼2016-11-23 16:32:35
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7楼2016-11-23 16:36:16
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8楼2016-11-23 16:39:58
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9楼2016-11-23 16:47:36
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10楼2016-11-23 16:48:45
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