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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 【请教】ZnMgO禁带宽度问题
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bytianping

金虫 (正式写手)

[交流] 【请教】ZnMgO禁带宽度问题

请问理论上如何解释Mg掺杂能提高ZnO禁带宽度？
哪位高手指点一下，谢谢！

[ Last edited by SHY31 on 2008-12-1 at 14:27 ]
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Thescientistisnotapersonwhogivestherightanswers,he'sonewhoaskstherightquestions.--ClaudeLévi-Strauss
1楼 2008-12-01 10:14:27
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cdmc

木虫 (正式写手)
感谢cos60的热情回答。
再问下分析的时候有一个Scissors选项，这个是干什么用的。我发现调整这个数值能带间隙会发生变化。
另外再弱弱的问下，有些文献是算掺杂后价带导带的位移对能带的影响，这里面能带的位置是不是也需要用核心态能级对齐。我是把核心态能级理解成核心原子了，不知道对不对。
那么不同的半导体之间是不是就没有办法比较导带价带的高低了？有什么方法吗？
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15楼2008-12-03 10:52:31
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查看全部 19 个回答

cos60

木虫 (著名写手)
★ ★ ★ ★ ★
wuli8(金币+2,VIP+0):感谢您的交流！(*^__^*) ……
灯塔守望者(金币+3,VIP+0):再追加2分，望多多支持小木虫，谢谢。
导带上移的多，价带下移的少。
价带下移的原因是Mg中没有d电子，所以Mg进入ZnO晶格后，Zn-O间p-d耦合减弱，也就是说，反键态作用变弱，导致价带顶下移。
至于导带上移，个人认为是，Mg进入ZnO晶格后，Mg的s和O的s耦合变强（和Zn-O比），s-s耦合也是反键态，耦合变强，则能量升高。
可以参考一下两篇文献：
ApplPhysLett_92_192116
ApplPhysLett_92_062110
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2楼2008-12-01 10:44:52
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SHY31

至尊木虫 (知名作家)

小木虫研究生院西南地区区长

优秀版主
★
fegg7502(金币+1,VIP+0):thanks
事实胜于雄辩

直接用MS

然后导入ZnO,然后根据你掺杂的量，用supercell做Mg掺杂

然后CASTEP计算能带结构，DOS,PDOS，你想要什么东西都会有了的~

不过楼上的解释很够理论性哦
赞一下(11人) 回复此楼
小木虫研究生院
3楼2008-12-01 14:29:39
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SHY31

至尊木虫 (知名作家)

小木虫研究生院西南地区区长

优秀版主
IP:159.226.129.8

IP:159.226.165.165

是不是自问自答啊？
赞一下 回复此楼
小木虫研究生院
4楼2008-12-01 14:31:19
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