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对于p-type 半导体材料，如何提高能级密度
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对于p-type的半导体，如GaTe,如何对其修饰可以提高费米面附近的能级密度？ 目前知道杂原子掺杂可以，除了掺杂呢？有没有什么办法类似于heterostructure的？就是在表面上覆盖一层东西的方法。 半导体小白一枚，请各位大神走过路过的出出主意。 发自小木虫IOS客户端 |
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