| 查看: 688 | 回复: 0 | ||
guaiguaizhxd木虫 (小有名气)
|
[求助]
VASP中双空位缺陷反铁磁参数设置
|
|
计算了h-BN中的B和N双空位缺陷。审稿人认为应该考虑反铁磁的情况，并做比较。通常情况下，例如掺杂引入外来原子，只要设置两个原子的自旋磁距相反就可以了，即设置MAGMOM参数。但是，对于双空位缺陷来讲，空位临近的原子数量众多，且还有共用的情况，如果再设置MAGMOM的话，貌似组合太多，工作量太大。 现在问题来了，可否通过仅仅设置NUPDOWN = 0的方式，锁定系统的净磁距为0，来模拟反铁磁的情形呢？本人对磁性计算纯属菜鸟，请多指教。多谢多谢！ |
回复此楼» 猜你喜欢
284求调剂
已经有10人回复
-
一志愿山东大学药学学硕求调剂
已经有4人回复
-
07化学280分求调剂
已经有4人回复
-
298-一志愿中国农业大学-求调剂
已经有12人回复
-
求材料，环境专业调剂
已经有3人回复
-
335求调剂
已经有5人回复
-
求调剂
已经有7人回复
-
一志愿吉大化学322求调剂
已经有4人回复
-
环境学硕288求调剂
已经有8人回复
-
341求调剂(一志愿湖南大学070300)
已经有6人回复
