| 查看: 84 | 回复: 0 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
| 【有奖交流】积极回复本帖子，参与交流，就有机会分得作者 fangsheng5685 的 10 个金币 | |||
fangsheng5685木虫 (小有名气)
|
[交流]
请教一篇英文
|
||
|
Different processes were introduced in a multi-level interconnect stack using ULK/USG stack as IMD, showing excellent electrical properties, and three times electromigration time-to-failure improvement with respect to standard SiCN barrier. However, it was shown that existing process conditions lead to some introduction of N atoms into ULK dielectric, showing there isstill some room for process optimization in architectures using un-capped ULKs, to keep the benefits of EM improvement and aggressive effective dielectric constant. 有没有哪位兄弟帮我看看一下上文的ULK、USG 、IMD三个简称是什么啊？ 多谢了。 是关于集成电路阻挡层的文献 |
回复此楼» 猜你喜欢
为什么中国大学工科教授们水了那么多所谓的顶会顶刊，但还是做不出宇树机器人？
已经有11人回复
-
网上报道青年教师午睡中猝死、熬夜猝死的越来越多，主要哪些原因引起的？
已经有9人回复
-
【博士招生】太原理工大学2026化工博士
已经有5人回复
-
什么是人一生最重要的？
已经有5人回复
-
280求调剂
已经有3人回复
-
面上可以超过30页吧？
已经有11人回复
-
版面费该交吗
已经有15人回复
-
体制内长辈说体制内绝大部分一辈子在底层，如同你们一样大部分普通教师忙且收入低
已经有18人回复