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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 新能源材料 » 【求助】请教：在半导体器件中,少数载流子起主导作用？
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basanwuyu

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】请教：在半导体器件中,少数载流子起主导作用？

在半导体器件中,少数载流子起主导作用？人们通常测少子的寿命，为什么不讨论多子的寿命呢？
                            谢谢！

[ Last edited by ddx-k on 2008-12-24 at 20:07 ]
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1楼 2008-11-25 10:18:00
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floljf

金虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
引用回帖:
Originally posted by ljjbpp at 2008-12-1 17:52:
这个问题是半导体物理有涉及
因为在PN结的两边由于存在一个耗尽层，多子已经在一定区域内耗尽了，从而形成从N区到P区的内建电场，所以这时候少子的在电场中的运动就变的很重要了．就比如N区的孔穴会在内建电场的 ...

===================================
我的看法和你基本一致！正式由于内电场的存在，而内电场是由少子构成的，切内电场是有利于少子的漂移。少子的寿命在凡存在PN结的半导体器件中均起到重要作用。
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10楼2009-10-26 18:34:17
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lss1073

禁虫 (正式写手)
★
basanwuyu(金币+1,VIP+0):感谢你的回答！
本帖内容被屏蔽
2楼2008-11-25 18:15:41
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wanglurong1985

金虫 (正式写手)
★
basanwuyu(金币+1,VIP+0): 感谢你的回答！
我想载流子密度大了就会影响其运动，因为“空位”少了
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3楼2008-11-26 09:53:17
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xiacunjun

铜虫 (小有名气)
★
basanwuyu(金币+1,VIP+0):感谢你的回答！
在参杂半导体中多数载流子的浓度由掺杂浓度决定;而少子由本征激发参生 ！！！1
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4楼2008-11-26 11:04:10
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