| ²é¿´: 7198 | »Ø¸´: 8 | |||
ˮʦÌá¶½½ð³æ (СÓÐÃûÆø)
|
[½»Á÷]
ÄÄЩÊÇpÐͰ뵼Ìå²ÄÁÏÄØ ÒÑÓÐ5È˲ÎÓë
|
|
ÄÄЩÊÇpÐͰ뵼Ìå²ÄÁÏÄØ ·¢×ÔСľ³æAndroid¿Í»§¶Ë |
» ²ÂÄãϲ»¶
281Çóµ÷¼Á£¨0805£©
ÒѾÓÐ16È˻ظ´
304Çóµ÷¼Á
ÒѾÓÐ6È˻ظ´
²ÄÁϹ¤³Ìר˶µ÷¼Á
ÒѾÓÐ6È˻ظ´
Ò»Ö¾Ô¸Ìì´ó²ÄÁÏÓ뻯¹¤£¨085600£©×Ü·Ö338
ÒѾÓÐ4È˻ظ´
085700×ÊÔ´Óë»·¾³308Çóµ÷¼Á
ÒѾÓÐ3È˻ظ´
Çó²ÄÁϵ÷¼Á
ÒѾÓÐ8È˻ظ´
294Çóµ÷¼Á²ÄÁÏÓ뻯¹¤×¨Ë¶
ÒѾÓÐ5È˻ظ´
Ò»Ö¾Ô¸»ªÖпƼ¼´óѧ£¬080502£¬354·ÖÇóµ÷¼Á
ÒѾÓÐ4È˻ظ´
Ò»Ö¾Ô¸¼ªÁÖ´óѧ²ÄÁÏѧ˶321Çóµ÷¼Á
ÒѾÓÐ6È˻ظ´
085410È˹¤ÖÇÄÜר˶317Çóµ÷¼Á£¨0854¶¼¿ÉÒÔ£©
ÒѾÓÐ3È˻ظ´
» ±¾Ö÷ÌâÏà¹ØÉ̼ÒÍÆ¼ö: (ÎÒÒ²ÒªÔÚÕâÀïÍÆ¹ã)
» ±¾Ö÷ÌâÏà¹Ø¼ÛÖµÌùÍÆ¼ö£¬¶ÔÄúͬÑùÓаïÖú:
Ïû³ý´ß»¯Áã»Ø¸´£¬¸Ðл³æÓÑÀ´½»Á÷(Ê®¶þ£©
ÒѾÓÐ19È˻ظ´
Ïû³ý´ß»¯Áã»Ø¸´£¬¸Ðл³æÓÑÀ´½»Á÷(Áù£©
ÒѾÓÐ5È˻ظ´
Çë½Ì¹ØÓÚ¼ò²¢NÐͰ뵼ÌåºÍ¼ò²¢PÐͰ뵼Ìå¹¹³ÉµÄËíµÀ½áµÄ±íÕ÷·½·¨
ÒѾÓÐ13È˻ظ´
¹â½âË®²ú £¨Ñõ£© ÄÜÁ¦½ÏÇ¿µÄ°ëµ¼Ìå²ÄÁÏÓÐÄÄÐ©ÄØ£¿
ÒѾÓÐ20È˻ظ´
kangye_1989
ľ³æ (ÖøÃûдÊÖ)
- Ó¦Öú: 585 (²©Ê¿)
- ½ð±Ò: 1361.5
- É¢½ð: 50
- ºì»¨: 45
- Ìû×Ó: 1216
- ÔÚÏß: 149.1Сʱ
- ³æºÅ: 2737587
- ×¢²á: 2013-10-19
- רҵ: Äý¾Û̬ÎïÐÔ II £ºµç×ӽṹ
¡ï
Сľ³æ: ½ð±Ò+0.5, ¸ø¸öºì°ü£¬Ð»Ð»»ØÌû
Сľ³æ: ½ð±Ò+0.5, ¸ø¸öºì°ü£¬Ð»Ð»»ØÌû
|
ÎʵõÄûʲôÒâÒ壬ÕâÖÖ²ÄÁÏÌ«¶àÁË£¬ÄãÖÁÉÙ˵һ¸ö²ÄÁÏÌåϵ°É ·¢×ÔСľ³æAndroid¿Í»§¶Ë |
2Â¥2016-10-01 07:41:57
cord
Ìú¸Ëľ³æ (ÖøÃûдÊÖ)
- Ó¦Öú: 186 (¸ßÖÐÉú)
- ½ð±Ò: 8374.9
- É¢½ð: 206
- ºì»¨: 16
- Ìû×Ó: 1745
- ÔÚÏß: 206.7Сʱ
- ³æºÅ: 514399
- ×¢²á: 2008-02-29
- ÐÔ±ð: GG
- רҵ: °ëµ¼Ìå¾§ÌåÓ뱡Ĥ²ÄÁÏ
3Â¥2016-10-01 08:29:12
ˮʦÌá¶½
½ð³æ (СÓÐÃûÆø)
- Ó¦Öú: 0 (Ó×¶ùÔ°)
- ½ð±Ò: 902.3
- É¢½ð: 13
- Ìû×Ó: 149
- ÔÚÏß: 15.1Сʱ
- ³æºÅ: 4185519
- ×¢²á: 2015-10-30
- רҵ: Äý¾Û̬ÎïÐÔI:½á¹¹¡¢Á¦Ñ§ºÍ
4Â¥2016-10-01 23:13:26
ˮʦÌá¶½
½ð³æ (СÓÐÃûÆø)
- Ó¦Öú: 0 (Ó×¶ùÔ°)
- ½ð±Ò: 902.3
- É¢½ð: 13
- Ìû×Ó: 149
- ÔÚÏß: 15.1Сʱ
- ³æºÅ: 4185519
- ×¢²á: 2015-10-30
- רҵ: Äý¾Û̬ÎïÐÔI:½á¹¹¡¢Á¦Ñ§ºÍ
5Â¥2016-10-01 23:14:02
6Â¥2016-10-02 12:57:51
jedi-j
Ìú¸Ëľ³æ (Ö°Òµ×÷¼Ò)
- Ó¦Öú: 34 (СѧÉú)
- ½ð±Ò: 6750.8
- É¢½ð: 100
- ºì»¨: 13
- Ìû×Ó: 3364
- ÔÚÏß: 570.3Сʱ
- ³æºÅ: 3083879
- ×¢²á: 2014-03-24
- רҵ: °ëµ¼Ìå²ÄÁÏ
¡ï
Сľ³æ: ½ð±Ò+0.5, ¸ø¸öºì°ü£¬Ð»Ð»»ØÌû
Сľ³æ: ½ð±Ò+0.5, ¸ø¸öºì°ü£¬Ð»Ð»»ØÌû
|
Â¥Ö÷ÕâÕæÊÇ´óÔÕÎÊ£¡ÀýÈçÕâ¾ä»°£º ¡°ZnO is a wide-bandgap semiconductor of the II-VI semiconductor group. The native doping of the semiconductor due to oxygen vacancies or zinc interstitials is n-type.¡± |
7Â¥2016-10-02 15:40:22
ˮʦÌá¶½
½ð³æ (СÓÐÃûÆø)
- Ó¦Öú: 0 (Ó×¶ùÔ°)
- ½ð±Ò: 902.3
- É¢½ð: 13
- Ìû×Ó: 149
- ÔÚÏß: 15.1Сʱ
- ³æºÅ: 4185519
- ×¢²á: 2015-10-30
- רҵ: Äý¾Û̬ÎïÐÔI:½á¹¹¡¢Á¦Ñ§ºÍ
8Â¥2016-10-02 23:55:27
zirenfly
ľ³æ (СÓÐÃûÆø)
- Ó¦Öú: 12 (СѧÉú)
- ½ð±Ò: 1792.3
- ºì»¨: 2
- Ìû×Ó: 217
- ÔÚÏß: 52.4Сʱ
- ³æºÅ: 2594416
- ×¢²á: 2013-08-13
- ÐÔ±ð: GG
- רҵ: °ëµ¼Ìåµç×ÓÆ÷¼þ

9Â¥2016-12-01 20:13:23













»Ø¸´´ËÂ¥