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计算材料前沿最新学术进展精选
第一性原理
1、从化学上用杂质散射中的电子掺杂取代铁碳化合物
Charge doping versus impurity scattering in chemically substituted iron pnictides
Phys. Rev. B, 2016, DOI: 10.1103/Phys Rev B.94.094512）
2、电荷载流子掺杂对1T-TaS2中电荷密度波的调控机制
Manipulating charge density waves in 1T-TaS2 by charge-carrier doping: A first-principles investigation （Phys. Rev. B, 2016, DOI:10.1103/PhysRevB.94.125126）
3、ScIrP化合物的电子结构和以声子为媒介形成的超导性
Electronic structure and phonon-mediated superconductivity in ScIrP compound: First-principles calculations （Phys. Rev. B, 2016, DOI: 10.1103/PhysRevB.94.094513）
密度泛函
4、第一性原理对CeO2中缺陷和裂变的气态原子中电荷状态的DFT+U研究
First-principles DFT+U investigation of charged states of defects and fission gas atoms
in CeO2 （Phys. Rev. B, 2016, DOI: 10.1103/PhysRevB.94.115132）
5、Fe原子单层对Sb2Te3表面结构和电子性质的影响
Effects of a magnetic Fe monolayer on the structural and surface electronic properties of
Sb2Te3 （Phys.Rev.B, 2016, DOI: 10.1103/PhysRevB.94.125421）
其他
6、加速分子动力学：晶界位错形核转变机制和对强温度依赖性
Mechanism transition and strong temperature dependence of dislocation nucleation from
grain boundaries: An accelerated molecular dynamics study（Phys. Rev. B, 2016,
DOI: 10.1103/Phys Rev B.94.104110）
7、 蒙特卡罗模拟：准一维碳纳米管内的p-H2的超流体行为研究
Superfluid behavior of quasi-one-dimensional p-H2 inside a carbon nanotube
（Phys. Rev. B , 2016, DOI: 10.1103/PhysRevB.94.100502）
8、半导体结构：半导体内超快载流子弛豫和非热相过程中的多重载流子诱导的结构变化
Carrier-Multiplication-Induced Structural Change during Ultrafast Carrier Relaxation and
Nonthermal Phase Transition in Semiconductors（Phys. Rev. Lett., 2016,
DOI: 10.1103/PhysRevLett.117.126402）
9、锂硫电池：由黑磷包裹多硫化物组装的锂硫电池改性隔膜
Entrapment of Polysulfides by a Black-Phosphorus-Modified Separator for Lithium–Sulfur
Batteries（Adv. Mater.，2016，DOI: 10.1002/adma.201602172） |
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