| 查看: 233 | 回复: 0 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
[交流]
【求助】如何设置生长氛围
|
|||
|
在计算某中缺陷的形成能的时候,看到相关文献都有报道一种缺陷在不同的氛围下的形成能,比如对与AlN晶体中的N缺陷,会给出在富N;富Al两种不同条件下的形成能。 请教各位高手这样的设置在Castep中到底该如何设置呢? |
» 猜你喜欢
售SCI一区T0P文章,我:8.O.55.1.O.5.4,科目全,可+急
已经有7人回复
售SCI一区T0P文章,我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有6人回复
售SCI一区文章,我:8.O.551.O.5.4,科目全,可伽急
已经有8人回复
售SCI一区文章,我:8O5.5.1.O5.4,科目全,可伽急
已经有8人回复
售SCI一区文章,我:8.O.551.O.5.4,科目全,可伽急
已经有7人回复
售SCI一区T0P文章,我:8.O55.1.O.54,科目全,可十急
已经有5人回复
售SCI一区文章,我:8.O.551.O.5.4,科目全,可伽急
已经有8人回复
一个有机合成实验室都需要哪些设备?
已经有9人回复
售SCI一区文章,我:8O5.5.1.O5.4,科目全,可伽急
已经有7人回复
售SCI一区文章,我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可伽急
已经有8人回复










回复此楼
50