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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 【请教】ZnO的场发射性能和PL有什么关系吗？
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jhaomail

铁杆木虫 (正式写手)

[交流] 【请教】ZnO的场发射性能和PL有什么关系吗？

如题。我做的ZnO场发射性能，在说明性能不错的理由时，审稿人提出，可能跟载流子的迁移率和移动性有关系，建议我去做个PL看看。个人感觉这个跟荧光没啥关系。请高手指教。

[ Last edited by 大笨猪和聪明羊 on 2008-11-18 at 08:38 ]
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1楼 2008-11-16 22:07:17
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jhaomail

铁杆木虫 (正式写手)
谢谢。觉得做了PL，不知道如何说。理不清这个关系。PL的发射峰跟载流子浓度怎么联系起来呢？
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3楼2008-11-17 22:37:00
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查看全部 8 个回答

yipinchun

金虫 (著名写手)
★
大笨猪和聪明羊(金币+1,VIP+0):谢谢应助^_^
这个载流子浓度确实和发光没有啥直接关系。有看过文章未掺杂和重掺杂前后载流子发生几个量级的变化但是发光还是很好的。既然评审人要，你就做做。也挺简单
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信春哥，得永生
2楼2008-11-16 22:30:14
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yipinchun

金虫 (著名写手)
★
wdwsnnu(金币+1,VIP+0):3x，谢谢讨论
其实就是没有啥直接联系，不如作个IV曲线或者FET，后者是可以直接算出载流子浓度。但是这下子就太麻烦了。

如果硬要扯上关系，只能说因为UV发光强，点缺陷少（绿光峰低），晶体结构好（这个定性的是可以说的）。对于载流子的散射要小，那么迁移率相对要高。
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信春哥，得永生
4楼2008-11-19 02:11:38
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jhaomail

铁杆木虫 (正式写手)
现在做出来的PL是：UV是强峰，后面的570有绿光很高很宽的。说明O缺陷增加，这个能说明空隙增加，可移动的载流子增加吗？
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5楼2008-11-19 23:03:01
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