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vigaryang木虫 (正式写手)
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VASP表面吸附计算中的几个细节问题 已有1人参与
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初学VASP，了解到研究晶体表面对小分子的吸附时，需要执行三种计算过程，分别是晶体表面的优化、小分子的优化、以及晶体表面-分子复合结构的优化。请问： 1. 根据教程，小分子的优化也需要放在晶格中进行优化，那么这个晶格的晶胞参数大小需要和优化晶体表面时的晶胞参数保持一致么？ 2. 在上述三种优化过程中，ENCUT和k-mesh的数值是否需要保持一致？ 3. 晶体表面的大小要多大才合适？假如晶体表面原子的层数已经确定为4层，表面supercell的大小应该是3*3呢，还是4*4或者5*5？不知道该如何确定。 盼不吝赐教！ |
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【答案】应助回帖
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1. 小分子的优化应当保证真空足够大，这样小分子间没有相互作用。如果对精度要求不高，没必要放在和slab一样大的晶格当中。 2. 需要。k点密度应一致。 3. 原则上需要测试收敛性。 |
2楼2016-08-08 02:20:13
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