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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 做缺陷形成能的时候出现问题
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scuedu2

金虫 (小有名气)

[求助] 做缺陷形成能的时候出现问题 已有1人参与

做的缺陷形成能，考虑的是中性和非中性的影响，提示是BRMIX: very serious problems the old and the new charge density differ old charge density:   827.00000 new  826.00000。本来就考虑了背景电荷，不同的电荷有不同的NELECT,这是不是正常的呢？
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带电掺杂体系形成能

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1楼 2016-08-01 15:26:55
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方田半亩~

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

你好，我也是要做价电子的缺陷，你是用的VASP做的吗？我有个疑问就是在VASP中电荷可以直接加到某个指定的原子上面吗？我所知道的是，NELFCT是直接在整个胞上面加的电荷，这样对于需要加到某一个原子上面的电荷是否合理呢？再一个用castep加电荷，有人说会缺少一个背景电荷，这样的话，可以算吗？
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做自己的事
2楼2016-08-18 19:57:23
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scuedu2

金虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 方田半亩~ at 2016-08-18 19:57:23
你好，我也是要做价电子的缺陷，你是用的VASP做的吗？我有个疑问就是在VASP中电荷可以直接加到某个指定的原子上面吗？我所知道的是，NELFCT是直接在整个胞上面加的电荷，这样对于需要加到某一个原子上面的电荷是否合 ...

不能直接加在某个胞上

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3楼2016-08-21 08:05:09
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李蕊199387

木虫 (小有名气)
我也是加电子设置了NELECT，出现了the old and the new charge density differ
old charge density:   100.00000 new  101.00000这句话，不知道楼主现在是否知道这算不算正常的？因为加电子了，电荷密度肯定是不一样了
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4楼2018-05-26 17:12:37
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