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xxxxxxxfc金虫 (正式写手)
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vasp可以用虚晶近似不？ 已有1人参与
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| 如题，可以把poscar里面某个元素的含量设置成0.5不？ |
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valenhou001
至尊木虫 (职业作家)
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- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
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下面大致介绍VASP如何设置VCA的计算，至于计算结果是否可靠，还需检验或与其他程序进行比较。 以SiC为： ===1:1的SiC=== SiC 4.37905112 0.00 0.5 0.5 0.5 0.00 0.5 0.5 0.5 0.00 Si C 1 1 Direct 0.25000000 0.25000000 0.25000000 0.00000000 0.00000000 0.00000000 如设置Si0.5C1.5的 --------POSCAR---- SiC 4.37905112 0.00 0.5 0.5 0.5 0.00 0.5 0.5 0.5 0.00 Si C C 1 1 1 Direct 0.25000000 0.25000000 0.25000000 0.25000000 0.25000000 0.25000000 0.00000000 0.00000000 0.00000000 --- 注意以上Si和C有一个位置坐标是完全相同的。 同时INCAR的设置： VCA = 0.5 0.5 1.0 这里VCA的第1、2个数控制了Si， C占相同位置的几率。 另外POTCAR里C的势要有重复2次。即先 cat Si的POTCAR，再cat 两遍 C的POTCAR缀加到 POTCAR文件中。 需要测试一下， VCA= 1.0 0.0 1.0与 完整正常情况时SiC计算出来的结果(比如总能和能带、态密度等)相比较，看它们是否一样。 |
22楼2016-09-01 14:01:28
漫天飘雪
版主 (知名作家)
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3楼2016-07-16 10:59:13
卡开发发
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5楼2016-07-17 03:09:15
magicmonk
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6楼2016-07-18 09:22:29