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ielts_toefl木虫 (小有名气)
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N型半导体为什么“导带中有较多的电子(多数载流子)”，重点在导带上？ 已有3人参与
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http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=10484829&target=1 我在自学半导体知识，看见书上说，N型半导体的“导带中有较多的电子(多数载流子)” ，P型半导体的“价带中有较多的自由穴(多数载流子)”。 我知道N型半导体的电子数>空穴数，P型半导体的空穴数>电子数， 我的疑问是 为什么 书上要强调N型半导体的”导带“有较多的电子多子？本菜鸟初步理解是 N型半导体有较多的电子，这些较多的电子是均匀分布在各能带中的（导带，禁带，价带）。 同理，为什么书上要强调P型半导体的“价带"有较多的自由空穴多子？ |
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层主，你说的那篇文章，我简单看了一下。光催化的问题我不懂，但我猜想你这里的跟高中学的电解池有点像，文章中说的大概意思就是原来的那个go材料分两步处理，第一步用氨气，目的是引入N元素，占据C的格点，形成n型掺杂，这与我们先前讨论的原理是一致的，而第二部它又弄个氧化处理，这一步我觉得是引入了间隙氧原子，它起受主作用，能形成空穴。临近的两个量子点，一个是替位杂质形成的n型量子点，一个是间隙杂质形成的p型量子点，小部分区域就形成了pn结，由于是在水里泡着，就形成了回路，外界有光照射的时候，激发sp2杂化区域（可以理解为pn结的空间电荷区）产生过剩载流子，正电荷给氧，负电荷给氢，两者变成气体跑了。这个过程有点像太阳能电池，只不过它将太阳能转化的电能还没来得及传到外面被人利用，就先行转化成了化学能储存起来（等氢氧一反应就可以释放这部分化学能）。我的分析是根据文中的几句话，贴上来大家一起讨论讨论，说的不对的还请见谅    发自小木虫IOS客户端 |
22楼2016-07-18 13:34:45
回①如糖
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【答案】应助回帖
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根据电中性原理，不管是哪一类材料电子数和空穴数肯定都是相等的。只不过在N型半导体中，电子空穴对分离后，空穴固定在原子附近，而电子由于可以自由移动跃迁到导带中成为载流子；对于P型半导体，电子空穴对分离后，该电子与相邻原子的单电子形成了电子对，电子被固定，空穴以传递的方式不断移动，所以空穴在价带导电。 以上是我个人的理解，如有不妥，请赐教。 发自小木虫Android客户端 |
2楼2016-07-14 11:44:58
ielts_toefl
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，可是你的观点之中又引入了一个新的概念
——在N型半导体中“空穴固定在原子附近",对于P型半导体"电子被固定".书上并没有
。请问 你说的”固定“是什么含义？
3楼2016-07-14 13:25:56
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4楼2016-07-14 14:01:37
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