应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 求助！vasp加一个负点体系的真空静电势取值
52/1返回列表
查看: 2878  |  回复: 16
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

罪歌白夜叉

铁虫 (初入文坛)

[求助] 求助！vasp加一个负点体系的真空静电势取值 已有1人参与

Pt的slab模型，体系中加了一个负电荷（调整NELECT），然后作出来的静电势随z方向的变化真空部分不是直线，中间明显凹下去了，这种情况应该不是偶极修正的问题，请问各位有没有好的建议？真空静电势可以取最高点处的值吗？新人一枚，金币只有一点点，望大家见谅

求助！vasp加一个负点体系的真空静电势取值
3.png
回复此楼

» 猜你喜欢
1楼 2016-07-01 12:42:15
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

专心学术

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
10楼: Originally posted by 卡开发发 at 2016-07-01 17:28:29
前辈说的在理，实际我觉得是否能这么理解，电荷的发散可以通过引入背景电荷来消除，电荷体系的能量随着真空高度发散应该可以通过偶极矩修正来进行消除。其实应该还有个”电荷浓度“对体系能量的影响”也得进行消除 ...

您好，我算的是银-二氧化硅的界面体系的静电势图，加了偶极校正，真空层也足够厚（40A），可是算出来的界面两侧的真空能级不同，这点我可以理解，可是两侧还都是倾斜的，大概是什么问题，我该如何解决，我知道我的界面体系并不是电中性的。希望您有时间回复一下。
赞一下 回复此楼
17楼2018-12-20 22:58:13
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 17 个回答

卡开发发

专家顾问 (著名写手)

Ab Initio Amateur
不取最高的的，而是按照20附近那个位置来取，负电荷体系φvac↓ Efermi↑总体的work function减小，这很正常。
赞一下 回复此楼
不一定挂在论坛，计算问题问题欢迎留言。
2楼2016-07-01 13:01:00
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

罪歌白夜叉

铁虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 卡开发发 at 2016-07-01 13:01:00
不取最高的的，而是按照20附近那个位置来取，负电荷体系φvac↓ Efermi↑总体的work function减小，这很正常。

谢谢，那么对于类似体系（比如铂表面吸附了一个分子），图片中是加了一个正电荷的体系，取真空静电势也是选择真空层中间位置（14附近）的值吗？
求助！vasp加一个负点体系的真空静电势取值-1
5.png
赞一下 回复此楼
3楼2016-07-01 15:17:33
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

卡开发发

专家顾问 (著名写手)

Ab Initio Amateur
引用回帖:
3楼: Originally posted by 罪歌白夜叉 at 2016-07-01 15:17:33
谢谢，那么对于类似体系（比如铂表面吸附了一个分子），图片中是加了一个正电荷的体系，取真空静电势也是选择真空层中间位置（14附近）的值吗？

5.png
...

这个得考虑偶极修正，如果你做了偶极修正的话，看起来似乎真空层也不够大。偶极修正的情况，work function就区分left和right了，这样各自取各自的就行，也是按照真空静止区域的电势来考虑就行。
赞一下 回复此楼
不一定挂在论坛，计算问题问题欢迎留言。
4楼2016-07-01 15:24:18
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 17 个回答
普通表情 龙 兔 虎 猫
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭