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tan-tt

木虫 (小有名气)

★ ★
GrasaVampiro(金币+2,VIP+0):right
掺杂量多少?能通过XRD看出替换位置?如果改变晶体结构,能带结构变化了,结果就更加复杂,如果只是少量掺杂,ppm级,XRD应该是看不出什么来?掺杂引入的缺陷能级可能是极其复杂。尤其是对于化合物半导体,点缺陷的种类多,还有相互的络合,所以还是做实验,而且多做一些实验,因为有可能有很多偶然因素。
11楼2008-11-09 14:20:42
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maimai8381

铜虫 (初入文坛)

★ ★
GrasaVampiro(金币+2,VIP+0):正好是我想说的

你好,我也是最近看到有关S--Cu的东西。
本人愚见:掺杂后S3P轨道和Cu3d轨道形成轨道杂化,其实是增加了电子,载流子(电子)密度应该是增加了。
12楼2008-12-10 15:32:22
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hfut1879

至尊木虫 (文坛精英)

看来这个问题还是比较复杂的!
13楼2009-07-20 16:38:55
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tan-tt

木虫 (小有名气)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
掺杂量是多少呀?用XRD来判断?

就算是知道Cu是间隙原子或者是替换原子,也不好判断它引入的缺陷能级的位置,跟电离状态也有关系。

掺杂确实是一个复杂的问题,一个是看文献,一个是根据第一性原理计算(有效质量模型?)引入缺陷能级的位置。更合适的应该是做实验,确认一下。
14楼2009-07-28 09:29:22
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