【求助】半导体掺杂问题 - 物理 - 第2页小木虫论坛-学术科研互动平台

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木虫 (小有名气)

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GrasaVampiro(金币+2,VIP+0):right

掺杂量多少？能通过XRD看出替换位置？如果改变晶体结构，能带结构变化了，结果就更加复杂，如果只是少量掺杂，ppm级，XRD应该是看不出什么来？掺杂引入的缺陷能级可能是极其复杂。尤其是对于化合物半导体，点缺陷的种类多，还有相互的络合，所以还是做实验，而且多做一些实验，因为有可能有很多偶然因素。

11楼2008-11-09 14:20:42

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铜虫 (初入文坛)

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GrasaVampiro(金币+2,VIP+0):正好是我想说的

你好，我也是最近看到有关S--Cu的东西。
本人愚见：掺杂后S3P轨道和Cu3d轨道形成轨道杂化，其实是增加了电子，载流子（电子）密度应该是增加了。

12楼2008-12-10 15:32:22

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至尊木虫 (文坛精英)

看来这个问题还是比较复杂的！

13楼2009-07-20 16:38:55

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木虫 (小有名气)

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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流

掺杂量是多少呀？用XRD来判断？

就算是知道Cu是间隙原子或者是替换原子，也不好判断它引入的缺陷能级的位置，跟电离状态也有关系。

掺杂确实是一个复杂的问题，一个是看文献，一个是根据第一性原理计算（有效质量模型？）引入缺陷能级的位置。更合适的应该是做实验，确认一下。

14楼2009-07-28 09:29:22

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