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40961001金虫 (初入文坛)
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如何计算短周期(InAs)n/(GaSb)m superlattice中的电子和空穴受限能级？（n,m=1,20）
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最近在看短周期超晶格的文章， PHYSICAL REVIEW B 77, 115314 2008，”Pseudopotential calculations of band gaps and band edges of short-period (InAs)n/(GaSb)m superlattices with different substrates, layer orientations, and interfacial bonds” PRL 100, 186403 (2008)，”Band-Gap Design of Quaternary (In,Ga)(As,Sb) Semiconductors via the Inverse-Band-Structure Approach” PHYSICAL REVIEW B 78, 161302（R）R 2008, “Using superlattice ordering to reduce the band gap of random (In,Ga)As/InP alloys to a target value via the inverse band structure approach” 都是Paulo Piquini and Alex Zunger（计算方面的大牛）做的。他们计算了 (InAs)n/(GaSb)m（n,m=1,20）超晶格的电子和空穴受限态能级，导师一定要我学习他的方法并重复出来。这里n,m=1,20，是原子层厚度的超晶格，因此传统的有效质量理论不再适用了（导师说的）。我想直接用VASP算出能带结构，给出CBM和VBM，导师说这不是受限态。 看了他们的文章，我一头雾水，理论部分半懂不懂，正在看书。但是用的啥软件都不知道，不知从哪做起，希望各位虫友给点建议，谢谢。 |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : 重要PhysRevB.77.115314.pdf
- 附件 2 : 2008PhysRevB.78reduce_the_band_gap_of_random_(In,Ga)As-InP_alloys.pdf
- 附件 3 : 2008PhysRevLett.100Quaternary_(In,Ga)(As,Sb)_Semiconductors.pdf
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