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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 化学电源 » 在二氧化锰纳米线表面用TEOS包一层二氧化硅前，加了CTAB的作用是什么
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晃动的曼巴

木虫 (正式写手)

懒人

[求助] 在二氧化锰纳米线表面用TEOS包一层二氧化硅前，加了CTAB的作用是什么

在二氧化锰纳米线表面用TEOS包一层二氧化硅前，加了CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)的作用是什么？是为了更容易在二氧化锰纳米线包覆二氧化硅吗

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生活还是努力点吧
1楼 2016-06-01 12:32:12
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aitao

至尊木虫 (正式写手)
难道不是长介孔二氧化硅？
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2楼2016-06-01 12:55:21
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晃动的曼巴

木虫 (正式写手)

懒人
引用回帖:
2楼: Originally posted by aitao at 2016-06-01 12:55:21
难道不是长介孔二氧化硅？

是不是加了CTAB后硅层会疏松很多？

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生活还是努力点吧
3楼2016-06-01 16:51:34
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错季的守望

金虫 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 晃动的曼巴 at 2016-06-01 16:51:34
是不是加了CTAB后硅层会疏松很多？
...

表面活性剂吧
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4楼2016-09-08 20:48:54
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迟缓反应者

新虫 (初入文坛)
你好，我也是做这个方向的，但是这个方向的文献特别少，请问你有看到以TEOS为硅源去包覆MnO2纳米线的相关文献吗？
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5楼2021-03-30 20:43:03
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