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T-miz

新虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 47
帖子: 12
在线: 9.6小时
虫号: 4061439
注册: 2015-09-09
性别: MM
专业: 半导体晶体与薄膜材料

[求助] 禁带宽度已有1人参与

某氧化物半导体薄膜掺杂后禁带宽度减小是因为什么？不同退火温度禁带宽度大小也不一样又是为什么？

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1楼 2016-05-26 17:35:07

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琦玉老师

禁虫 (小有名气)

感谢参与，应助指数 +1

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2楼2016-05-27 15:22:34

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xiwa09

新虫 (正式写手)

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虫号: 1332613
注册: 2011-06-27
性别: GG
专业: 半导体光电子器件

禁带宽度变化是因为能带组成变了，有可能是掺杂元素的轨道进去并组成了能带，使原来的导带下移或者价带上移，也有可能是引入了杂质能级，具体要看掺杂元素和母相的。晶格变化还只是表象吧。

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3楼2016-05-30 13:56:11

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wthawkwust

金虫 (正式写手)

应助: 2 (幼儿园)
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红花: 1
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在线: 121.8小时
虫号: 1668817
注册: 2012-03-06
性别: GG
专业: 无机非金属类光电信息与功

引用回帖:

3楼: Originally posted by xiwa09 at 2016-05-30 13:56:11
禁带宽度变化是因为能带组成变了，有可能是掺杂元素的轨道进去并组成了能带，使原来的导带下移或者价带上移，也有可能是引入了杂质能级，具体要看掺杂元素和母相的。晶格变化还只是表象吧。
...

有什么理论书可以看看呢？

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