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hwd6218554

金虫 (著名写手)

[交流] 陶瓷晶粒生长

请教各位，陶瓷在加入其它元素后可以抑制其晶粒在高温下长大，而保证其在高温下的力学性能。能不能帮忙解释一下，一般掺杂元素是如何抑制陶瓷晶粒长大而保证力学性能，有哪些理论和实验来作为依据, 掺杂量和陶瓷结晶程度的关系如何，掺杂剂在陶瓷内的分布如何。谢谢。也可提供参考文献。金币可加。
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1楼 2016-04-16 20:30:38
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匿名
本帖仅楼主可见
2楼2016-04-16 21:09:15
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谢明贵

新虫 (小有名气)
★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
hwd6218554: 金币+1, 谢谢回帖，有没有具体的机理和理论来说明是如何抑制的，氧化锆的量和氧化铝结晶的程度是一个什么样的关系，加入多少量的氧化锆可以起作用，有没有临界值。 2016-04-16 23:10:06
hwd6218554: 金币+4, 第一位回答问题，再加点金币，谢谢 2016-04-16 23:13:45
如ZTA材料，就是通过在氧化铝中添加氧化锆，使氧化锆分布在氧化铝晶粒周围，抑制其长大，从而达到增强作用

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3楼2016-04-16 22:41:03
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弦断无人听

木虫 (正式写手)
★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
hwd6218554: 金币+5, 非常感谢回复 2016-04-21 11:39:23
加入杂质离子后，陶瓷在烧结过程中，受到晶体生长的排杂作用，杂质离子在晶界上偏聚析出，杂质既可以形成晶态，也可以形成玻璃态。
陶瓷烧结致密化的过程可以看成晶界移动，晶粒变大的过程。结晶上出现杂质相就会延缓晶界的移动，丁扎晶粒，起到抑制晶粒长大的作用。过多的杂质相也有可能促进晶粒的生长，如杂质在结晶形成大量液相就可以促进晶粒的生长。
多晶材料的力学强度与晶粒平均尺寸成正比
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4楼2016-04-18 19:50:03
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hwd6218554

金虫 (著名写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by 弦断无人听 at 2016-04-18 20:50:03
加入杂质离子后，陶瓷在烧结过程中，受到晶体生长的排杂作用，杂质离子在晶界上偏聚析出，杂质既可以形成晶态，也可以形成玻璃态。
陶瓷烧结致密化的过程可以看成晶界移动，晶粒变大的过程。结晶上出现杂质相就会延 ...

非常感谢回复。麻烦问一下杂质离子为什么是在晶界上析出，是一个相分离的过程吗？为什么不是和陶瓷离子均匀分散而形成非晶状态，再一个杂质形成晶态和玻璃态和什么因素有关，杂质的不同状态对于抑制陶瓷结晶程度有什么区别。麻烦有无对应的文献对此处进行细微研究的，谢谢。
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5楼2016-04-21 11:47:23
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