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愚不可及木虫 (正式写手)
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求助GCD中IR和EIS中阻抗的关系 已有1人参与
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如题，GCD中IR和EIS中阻抗是否有直接关系呢？我的测试结果是不是相互矛盾的，如果是相互矛盾又该怎么解释它呢？还有就是我这压差降这么大正常么。。。?  @VIMPILE 发自小木虫Android客户端 |
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yanghuanlele
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【答案】应助回帖
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愚不可及: 金币+10, ★★★很有帮助 2016-04-30 21:08:48
愚不可及: 金币+10, ★★★很有帮助 2016-04-30 21:08:48
| 1，我怎么看聚苯胺的IR降更大呢？接近0.4V了，而且一张图中电流是一样的吧，不用换算成电流密度，设参数的时候设的是电流，如果两者参数设置一样，那图中IR应该是聚苯胺大；2，IR表示放电初期材料性质不稳定引起的，储存的一部分电荷是虚的，放电的一瞬间电压就降下来了，主要体现在充放电容量不均等，可能是基体于活性物质间结合性的问题，可以通过改良电集体与活性物质的导电网络分布情况改进，而EIS表现的是对电活性储能物质施加扰动时，其各部分的抗扰动情况，分超高，高，中，低超低几个频率范围分析，你的EIS图比较简单，类似于常见的导电高分子聚合物，也就是Rs,Rct,W这几个值，比较好分析。3，充放电图中两者IR均较大，实际上聚苯胺在其他应用中此问题并非普遍存在，抑或IR值很小，或一个有，一个没有，你的图中改性和未改性的都有，还比较大，所以现在要解决的问题是实验系统误差问题，先解决IR值过大的问题，这是比较好解决的，提供两个方案（1，恒电流充放电过程中穿插设定恒压段，考察电流变化，及恒压段后放电曲线的IR值；2，改善基体表面结构，从粗糙度，添加导电网络或粘结剂几个角度尝试，分层沉积来改善基体与聚苯胺的结合度的论文很多，显著改善IR降）。总结一点，IR降过普遍大考虑的是改善体系，但是单一组IR降过大，可归因于本材料本身机械，电化学性质不好的原因。 |
10楼2016-04-05 14:23:42
fyj520wyl
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2楼2016-04-01 18:31:36
fyj520wyl
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3楼2016-04-01 18:32:06
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4楼2016-04-01 21:43:59
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