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愚不可及

木虫 (正式写手)

[求助] 求助GCD中IR和EIS中阻抗的关系 已有1人参与

如题,GCD中IR和EIS中阻抗是否有直接关系呢?我的测试结果是不是相互矛盾的,如果是相互矛盾又该怎么解释它呢?还有就是我这压差降这么大正常么。。。?

求助GCD中IR和EIS中阻抗的关系


求助GCD中IR和EIS中阻抗的关系-1


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yanghuanlele

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
愚不可及: 金币+10, ★★★很有帮助 2016-04-30 21:08:48
1,我怎么看聚苯胺的IR降更大呢?接近0.4V了,而且一张图中电流是一样的吧,不用换算成电流密度,设参数的时候设的是电流,如果两者参数设置一样,那图中IR应该是聚苯胺大;2,IR表示放电初期材料性质不稳定引起的,储存的一部分电荷是虚的,放电的一瞬间电压就降下来了,主要体现在充放电容量不均等,可能是基体于活性物质间结合性的问题,可以通过改良电集体与活性物质的导电网络分布情况改进,而EIS表现的是对电活性储能物质施加扰动时,其各部分的抗扰动情况,分超高,高,中,低超低几个频率范围分析,你的EIS图比较简单,类似于常见的导电高分子聚合物,也就是Rs,Rct,W这几个值,比较好分析。3,充放电图中两者IR均较大,实际上聚苯胺在其他应用中此问题并非普遍存在,抑或IR值很小,或一个有,一个没有,你的图中改性和未改性的都有,还比较大,所以现在要解决的问题是实验系统误差问题,先解决IR值过大的问题,这是比较好解决的,提供两个方案(1,恒电流充放电过程中穿插设定恒压段,考察电流变化,及恒压段后放电曲线的IR值;2,改善基体表面结构,从粗糙度,添加导电网络或粘结剂几个角度尝试,分层沉积来改善基体与聚苯胺的结合度的论文很多,显著改善IR降)。总结一点,IR降过普遍大考虑的是改善体系,但是单一组IR降过大,可归因于本材料本身机械,电化学性质不好的原因。
10楼2016-04-05 14:23:42
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fyj520wyl

铁虫 (正式写手)

理论上这俩个值是相等的

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2楼2016-04-01 18:31:36
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fyj520wyl

铁虫 (正式写手)

你这充放电的电流是多大啊?

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3楼2016-04-01 18:32:06
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愚不可及

木虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by fyj520wyl at 2016-04-01 18:32:06
你这充放电的电流是多大啊?

电流密度是1Ag-1,质量记得应该是2个mg左右

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4楼2016-04-01 21:43:59
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