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关于波束包络(ewbe)模块的波矢
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帮助文档里有这么一段话： Notice that the wave vector k1 is assumed to be the same for all domains selected for the physics interface. This also means that the phase will satisfy the condition of being continuous everywhere. If the wave is assumed to bend or there are different materials in the domains, the phase approximation above is not good and it is better to select a User defined Type of phase specification. When specifying the phase expression φ1(r), it is important that it is continuous everywhere. 大意就是波矢k在不同材料中默认保持不变，所以在描述相位时需要像例程那样分段写。 ------------------------------------- 我的问题是用这个模块模拟高斯光束，因为匹配边界条件上的包络方程里也包括了k（以及其他和折射率相关的参数）, 那么这个k需要也分段吗？？ 还有与折射率相关的比如瑞利长度x0=pi*w0^2/wl等变量也需要改写吗？ 还是说只要写好匹配边界上的包络方程（不管后面是否会进入不同折射率材料，只要这个边界上对就行），设置好波矢k就可以了？？？ 新手，概念也不是很懂，求解。 ------------------------------- 高斯光束的包络方程如下： E0*w0/w(z)*exp(-(y^2+x^2)/w(z)^2)*exp(-i*(-eta(z)+k*(y^2+x^2)/(2*R(z)))) |
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