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求教Ga(CH3)2与O结合后C的结合能变化。 已有1人参与
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求教各位。在我的试验中Ga(CH3)3中的C的结合能位置是位于283.3eV。我们在超高真空条件下在预吸附O的Pd(111)表面的吸附Ga(CH3)3后得到一个282.5左右的C 1s峰。部分文献认为282eV左右的是碳化物的中的碳，但是不符合我们的模型。我推测当Ga(CH3)3在预吸附O的Pd(111)表面吸附后是否形成了这样的结构。但是一直找不到相关文献。求教各位大神，能推断出这种结构中的C与Ga(CH3)3中的C，结合能谁高谁低吗？或者有谁见到过相关的文献和结构吗？ 图片1.png |
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