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紫夜星空

金虫 (小有名气)

[求助] 急急急!!AAO 模板法电沉积纳米线

本人在用AAO模板法沉积Au/CdSe金属半导体多段纳米线中,
实验中采用双槽法,即Au和CdSe溶液分别置于两个烧杯中,交替更换溶液进行沉积。
沉积CdSe纳米线的条件:电解液的浓度为0.3mol/L CdSO4,3mmol/L SeO2以及0.25 mol/L H2SO4,
沉积电位-0.7V,CdSe纳米线的长度可有沉积的时间控制。
沉积Au纳米线的沉积条件:电解液的浓度为100mM/L的HAuCl4和30g/L的H3BO3,沉积电位0.2V,
磁力搅拌的转速为1200转每分钟,沉积长度可按我们的需求控制沉积时间。
在单独沉积Au和CdSe时,能得到较好的纳米线,但是当他们进行交替复合是,
得到的多段纳米线与实验设定相差较大,有点甚至得不到多段的形貌,求原因!!
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紫夜星空

金虫 (小有名气)

2楼2016-03-11 14:43:05
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