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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术交流 » 功函数对金属半导体接触类型的影响
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sinto01

新虫 (初入文坛)

[求助] 功函数对金属半导体接触类型的影响 已有1人参与

求各位半导体物理学大神帮助T T 本人最近在做一个毕业设计， 其中一步是测量GaAs与Au/Zn/Au 发生欧姆接触之后的接触电阻。
有一点不理解的是，我们平时学的理论是根据金属和半导体各自的功函数来判断接触类型是欧姆接触还是形成肖特基结。 但是我的导师说其实功函数对接触类型没有影响，请问这是为什么？ 还有就是为什么与Au接触要加入Zn 形成合金？ 虽然我知道这样是为了使Zn能diffuse到接触层形成更好接触 但是很想知道根本原理是啥，，

万分感激
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1楼 2016-03-03 18:50:01
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sudan789

禁虫 (正式写手)
感谢参与，应助指数 +1
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sinto01
2楼2016-03-03 19:27:18
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yybwzm

银虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by sudan789 at 2016-03-03 19:27:18
可以讨论一下哈，我对这方面也不是特备清楚，功函数只是影响的一个方面，理论上建立起的肖特基势垒是功函数之差，但是实际上由于表面悬挂键的存在会有许多表面缺陷，形成表面态和表面能级，带来的结果是半导体能级发 ...

想了解这方面，要看哪些东西？求告知
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3楼2016-03-03 20:53:16
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sudan789

禁虫 (正式写手)
本帖内容被屏蔽
4楼2016-03-03 21:45:51
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yybwzm

银虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by sudan789 at 2016-03-03 21:45:51
刘恩科的半导体物理学，很好的一本书。祝好运。...

谢谢

发自小木虫Android客户端
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5楼2016-03-03 22:26:06
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sinto01

新虫 (初入文坛)
送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by sudan789 at 2016-03-03 19:27:18
可以讨论一下哈，我对这方面也不是特备清楚，功函数只是影响的一个方面，理论上建立起的肖特基势垒是功函数之差，但是实际上由于表面悬挂键的存在会有许多表面缺陷，形成表面态和表面能级，带来的结果是半导体能级发 ...

你好 非常感谢 我会向导师check一下
另外，之前我看到一个关于功函数对势垒高度的影响的帖子，不知是否可以从这个角度解释。 因为势垒的形成是半导体与表面态直接的相互作用达成统一这一过程的结果，所以与功函数没有关系。
如果考虑表面态， 因为表面极性，清洁度，镜像力等因素导致势垒高度与功函数没有理论那么大的关系，也就与金属没有那么大关系了。
不知这么理解对不对 可以再深入讨论一下
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6楼2016-03-04 00:06:51
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sudan789

禁虫 (正式写手)
本帖内容被屏蔽
7楼2016-03-04 10:17:14
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1422692585

新虫 (初入文坛)
求硒化锑的功函数值！急急急
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8楼2016-04-27 18:17:06
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rooike

新虫 (初入文坛)
基本就是楼上说的，有的半导体会有费米面钉扎的现象，刘恩科的书上有简单叙述

发自小木虫IOS客户端
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9楼2016-04-27 23:44:34
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