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如愿璐

金虫 (正式写手)

[求助] 怎么 remove the effect of double-layer capacitance已有2人参与

很着急请教各位电化学高手,一篇文章回稿了,有个问题我实在不知道怎么修改。确切的说,实在不知道问题出在哪里
麻烦谁能帮我详细解释下,告诉我该怎么补做这个实验啊!在我能力范围内,要多少金币我给多少
审稿人的意见:Finally, the authors do not take into due account the effect of double-layer capacitance on the electrochemical performance of the electrocatalysts. In the current version of the manuscript (e.g., Figure 4b and especially Figure 5a), the double-layer capacitance is not removed, and boosts incorrectly the performance level of the electrocatalysts.
我想知道怎么remove the effect of double-layer capacitance.

怎么 remove the effect of double-layer capacitance
figure 4b.jpg


怎么 remove the effect of double-layer capacitance-1
figure 5a.jpg
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hyt365dn

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

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感谢参与,应助指数 +1
如愿璐: 金币+80, ★★★★★最佳答案, 真的十分感谢这位虫友的帮助,让我学到了好多专业知识 2016-03-03 21:55:08
教给你一个方法
It=If+Id (这里It表示总电流,If表示法拉第电流,Id表示双电层电流)
由于Id=Q/t=CU/t=Cv (这里的v是扫描速率)
所以总的式子为
It=If+Cv
所以,你只要电流对扫速做图,斜率就是双电层电容,与Y轴的截距就是法拉第电流密度
这样就可以求得净法拉第电流密度
所以,具体操作,就是,先选取一个峰的峰值,作为标准值,然后根据上述公式计算出净法拉第电流密度之后,算出其与标准值的差值,这个差值就是理想的双电层电流密度
然后在origin里CV图数据,一整列都减去这个差值,就可以算作去除了双电层电流的影响
此法自己斟酌使用
6楼2016-03-03 17:04:32
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hezhangrong

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

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感谢参与,应助指数 +1
如愿璐: 金币+20, 有帮助, 同样谢谢你回复 2016-03-03 09:31:03
哈哈,你遇到高水平审稿人了。样品与溶液有界面,这种界面可以抽象成双电层电容,在测I-V曲线过程中,由于电位变化,除了发生催化反应外,双电层电容会充电。所以测到的电流实际上是包含了反应电流和电容充电电流。所以你需要想办法扣除电容充电电流
2楼2016-03-02 23:27:00
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枝头的鹰

银虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by 如愿璐 at 2016-03-03 08:08:40
那是不加催化剂,只用碳基底来做电化学吗?
...

具体我也不知道,我只是提供一个思路,因为我没做过催化。你应该比我专业,具体怎么对照你自己考虑下吧

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Everything has a reason
5楼2016-03-03 09:15:32
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hyt365dn

木虫 (正式写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by 如愿璐 at 2016-03-03 21:54:28
还想问问这位专业人士,具体操作里,选取一个峰值的峰是随便选一个峰还是那个都行。这样算出来的结果适用于CV曲线的校准是吗?那ORR的LSV扣除双电层电流的影响需要做空白实验来剪掉是吗?是做只通氮气饱和测试的作 ...

每个电位对应计算出来的Id可能都不同,计算又比较麻烦,因为作斜线图要取至少5个点,所以我个人认为取峰值的地方就可以了,因为峰的产生就是法拉第反应发生造成的,所以在此时双电层电流影响更大,所以计算出来的值更有意义,然后假设所有点所对应的双电层电流都相同,当然了,你可以根据你的情况来看到底怎么处理最合适
至于空白实验,我觉得很难去实现,因为,在实际上,一个材料总是同时伴随着双电层和法拉第过程,两者分隔不开,空白实验无法实现,如果按照上面回帖中的做法去做了,审稿人可能会说这个结果不够准确,里面还是会有法拉第电流,所以这就不好说了
但是,你可以两者都尝试一下,看看双电层电流所占总电流的比例是否足够接近。如果十分接近,那审稿人就很难在挑刺了
我水平有限,意见仅供参考
8楼2016-03-04 10:15:39
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普通回帖

枝头的鹰

银虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by hezhangrong at 2016-03-02 23:27:00
哈哈,你遇到高水平审稿人了。样品与溶液有界面,这种界面可以抽象成双电层电容,在测I-V曲线过程中,由于电位变化,除了发生催化反应外,双电层电容会充电。所以测到的电流实际上是包含了反应电流和电容充电电流。 ...

这样的话,是不是可以做一个空白对照实验测试电容充点电流?

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Everything has a reason
3楼2016-03-02 23:48:21
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如愿璐

金虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 枝头的鹰 at 2016-03-02 23:48:21
这样的话,是不是可以做一个空白对照实验测试电容充点电流?
...

那是不加催化剂,只用碳基底来做电化学吗?

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4楼2016-03-03 08:08:40
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如愿璐

金虫 (正式写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by hyt365dn at 2016-03-03 17:04:32
教给你一个方法
It=If+Id (这里It表示总电流,If表示法拉第电流,Id表示双电层电流)
由于Id=Q/t=CU/t=Cv (这里的v是扫描速率)
所以总的式子为
It=If+Cv
所以,你只要电流对扫速做图,斜率就是双电层电容,与Y ...

还想问问这位专业人士,具体操作里,选取一个峰值的峰是随便选一个峰还是那个都行。这样算出来的结果适用于CV曲线的校准是吗?那ORR的LSV扣除双电层电流的影响需要做空白实验来剪掉是吗?是做只通氮气饱和测试的作为空白实验对吗?最后补上一句真诚的感谢。你的帮助不是这几十个金币能衡量的,真的十分感谢,让我学到了好多专业知识。谢谢你了
活在当下,心在远方
7楼2016-03-03 21:54:28
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如愿璐

金虫 (正式写手)

引用回帖:
8楼: Originally posted by hyt365dn at 2016-03-04 10:15:39
每个电位对应计算出来的Id可能都不同,计算又比较麻烦,因为作斜线图要取至少5个点,所以我个人认为取峰值的地方就可以了,因为峰的产生就是法拉第反应发生造成的,所以在此时双电层电流影响更大,所以计算出来的值 ...

真的十分感谢

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9楼2016-03-04 11:00:55
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hjghblg

至尊木虫 (著名写手)

本人最近接触电化学,我认为电容电流和扫速有关,尝试比较不同扫速下IV,得出结论电容多大
祝好运
10楼2016-03-05 16:42:38
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