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半导体异质结纳米线的生长综述
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北京工业大学李昂、韩晓东教授和昆士兰大学邹进教授共同撰写的综述《III-V族化合物半导体和其异质结纳米线的生长》。 这篇综述有针对性地对近几年III-V族化合物半导体和其异质结纳米线的生长进行了总结。首先详尽地介绍了单质和异质结III-V纳米线 的生长机理，并且讨论了它们常见的晶体结构。然后总结了常见的III-V族纳米线的生长条件和工艺要点，包括生长温度、III/V 比例、异质结材料和界面等对纳米线形貌和结构的影响。同时这篇综述也着重介绍了最新发展的表征纳米线晶体结构和物理性能的新技术，如: 先进电子显微 学、电子衍射、显微拉曼光谱原子探针断层扫描等。最后对纳米线研究和应用的未来发展提出了展望。 Growth of III-V semiconductor nanowires and their heterostructures. Science China Materials, 2016, 1: 51-91 In this paper, we present a review about recent progress on the growth of III-V semiconductor homo- and heterostructured nanowires. We will first deliver a general discussion on the crystal structure and the conventional growth mechanism of one dimensional nanowires. Then we provide a review about most widely used growth techniques, sample preparation and the cutting edge characterization techniques including advanced electron microscopy, in situ electron diffraction, micro-Raman spectroscopy, and atom probe tomography. In the end, the growth of different heteostructured III-V semiconductor nanowires will be reviewed. We will focus on the morphology dependence, temperature influence, and III/V flux ratio dependent growth. The perspective and an outlook of this field is discussed in order to foresee the future of the fundamental research and application of these one dimensional nanostructures.[ Last edited by freedrugs on 2016-2-29 at 09:11 ] |
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2016-02-26 15:40:16, 10.87 M
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