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分类	共搜索到 249 个相关话题(最多显示前5000个)	作者	最后发表

导师招生	西交利物浦大学/氮化镓基 CMOS 技术的物理驱动与人工智能增强... 通过将基于物理的工艺计算机辅助设计（tcad）模拟与机器学习（ml）和多目标优化无缝集成，本研究将探索完整的设计空间：从异质结构工程、p型场效应晶体管（p-fet）/n型场效应晶体管（n-fet...	JLight	2026-07-27 01:00
仿真模拟	silvaco TCAD和sentaurus TCAD哪个好博0入门半导体微电子方向应该学习哪个仿真软件	3099309143	2026-07-05 01:45
导师招生	西交利物浦大学/氮化镓基 CMOS 技术的物理驱动与人工智能增强... 通过将基于物理的工艺计算机辅助设计（tcad）模拟与机器学习（ml）和多目标优化无缝集成，本研究将探索完整的设计空间：从异质结构工程、p型场效应晶体管（p-fet）/n型场效应晶体管（n-fet...	JLight	2026-07-01 03:36
导师招生	西交利物浦大学/氮化镓基 CMOS 技术的物理驱动与人工智能增强... 通过将基于物理的工艺计算机辅助设计（tcad）模拟与机器学习（ml）和多目标优化无缝集成，本研究将探索完整的设计空间：从异质结构工程、p型场效应晶体管（p-fet）/n型场效应晶体管（n-fet...	JLight	2026-06-23 03:21
导师招生	西交利物浦大学/氮化镓基 CMOS 技术的物理驱动与人工智能增强... 通过将基于物理的工艺计算机辅助设计（tcad）模拟与机器学习（ml）和多目标优化无缝集成，本研究将探索完整的设计空间：从异质结构工程、p型场效应晶体管（p-fet）/n型场效应晶体管（n-fet...	JLight	2026-06-15 07:12
考博	【全奖博士/RA/实习生招生】香港科技大学（广州）集成电路设计... 此前，石博士在dac、iccad、tcad等领域内顶级会议和期刊上发表论文40余篇，获得3项最佳论文提名和1项最佳海报奖。担任多项会议的tpc成员和期刊审稿人，与国内外诸多顶级实验室保持着长期...	IronpropS	2026-06-11 07:16
导师招生	【全奖博士/RA/实习生招生】香港科技大学（广州）集成电路设计... 此前，石博士在dac、iccad、tcad等领域内顶级会议和期刊上发表论文40余篇，获得3项最佳论文提名和1项最佳海报奖。担任多项会议的tpc成员和期刊审稿人，与国内外诸多顶级实验室保持着长期...	IronpropS	2026-06-11 07:18
导师招生	西交利物浦大学/氮化镓基 CMOS 技术的物理驱动与人工智能增强... 通过将基于物理的工艺计算机辅助设计（tcad）模拟与机器学习（ml）和多目标优化无缝集成，本研究将探索完整的设计空间：从异质结构工程、p型场效应晶体管（p-fet）/n型场效应晶体管（n-fet...	JLight	2026-05-29 06:06
导师招生	西交利物浦大学/氮化镓基 CMOS 技术的物理驱动与人工智能增强... 通过将基于物理的工艺计算机辅助设计（TCAD）模拟与机器学习（ML）和多目标优化无缝集成，本研究将探索完整的设计空间：从异质结构工程、p型场效应晶体管（p-FET）/n型场效应晶体管（n-FET...	JLight	2026-05-18 02:47
博后之家	中科院东莞材料所低维半导体与智能器件方向博士后三、器件仿真方向博士后工作内容?负责/参与tcad器件仿真，涵盖半导体器件建模、工艺及特性仿真、多物理场耦合仿真；使用主流tcad仿真工具，优化仿真流程，提升仿真精准度与效率；对标实验...	luhui888	2026-04-27 08:41
导师招生	西交利物浦大学/氮化镓基 CMOS 技术的物理驱动与人工智能增强... 通过将基于物理的工艺计算机辅助设计（TCAD）模拟与机器学习（ML）和多目标优化无缝集成，本研究将探索完整的设计空间：从异质结构工程、p型场效应晶体管（p-FET）/n型场效应晶体管（n-FET...	JLight	2026-04-27 01:04
博后之家	广东工业大学宽禁带半导体器件与集成研究团队诚聘博士后【长期... 一、科研团队简介本团队依托广东工业大学集成电路学院，以半导体器件仿真技术与器件物理为核心，紧扣国家战略、国民经济与国防安全需求，专注于宽禁带半导体芯片TCAD设计、器件制备工艺、...	hfp_qt	2026-04-24 03:10
导师招生	西交利物浦大学/氮化镓基 CMOS 技术的物理驱动与人工智能增强... 通过将基于物理的工艺计算机辅助设计（TCAD）模拟与机器学习（ML）和多目标优化无缝集成，本研究将探索完整的设计空间：从异质结构工程、p型场效应晶体管（p-FET）/n型场效应晶体管（n-FET...	JLight	2026-04-21 01:06
硕博家园	【博士招生】湖南大学洪庆辉、杜四春老师课题组招生在IEEETC、TIE、TII、TCAD、TCAS-I、DAC等高水平期刊会议以一作或通信作者发表SCI论文90余篇，其中IEEE论文35篇，CCF-A或中科院一区20篇，IF10论文8篇。【招生对象】电子信息、集成电路、...	Kovalente	2026-04-18 02:19
导师招生	西交利物浦大学/氮化镓基 CMOS 技术的物理驱动与人工智能增强... 通过将基于物理的工艺计算机辅助设计（TCAD）模拟与机器学习（ML）和多目标优化无缝集成，本研究将探索完整的设计空间：从异质结构工程、p型场效应晶体管（p-FET）/n型场效应晶体管（n-FET...	JLight	2026-04-13 05:25
材料综合	半导体基本性质的解析分析传统方法需运行tcad仿真，耗时数小时。\textbf{解析公式}：根据附录a5中的验证数据，内建电势$v_{bi}$与掺杂浓度的关系已通过正文公式给出。对于对称突变结（$n_a=n_d=n$），可简化为：\...	lion_how	2026-04-12 02:31
金属	500层3D NAND薄膜技术的统一模型与闭环工艺实施本帖是本人“硅方程”“薄膜方程”“系统控制方程”“合金方程”的应用。因为薄膜技术涉及大量的金属课题，因此在《金属》版本也同步发一份，供坛友们探讨。纯理论推导，仅供参考。...	lion_how	2026-04-09 02:52
材料综合	500层3D NAND薄膜技术的统一模型与闭环工艺实施本帖是本人“硅方程”“薄膜方程”“系统控制方程”的应用，发上来，供坛友们探讨。纯理论推导，仅供参考。...因为编译时有可能出错，因此以LATEX代码为准。本文包括算法及产品，因此申请为...	lion_how	2026-04-09 02:55
招聘信息布告栏	中科院东莞材料所二维材料与智能器件方向招聘三、器件仿真方向副研究员/助理研究员/博士后/工程师工作内容?负责/参与tcad器件仿真，涵盖半导体器件建模、工艺及特性仿真、多物理场耦合仿真；使用主流tcad仿真工具，优化仿真流程，提升...	luhui888	2026-04-02 12:42
导师招生	西交利物浦大学/氮化镓基 CMOS 技术的物理驱动与人工智能增强... 通过将基于物理的工艺计算机辅助设计（TCAD）模拟与机器学习（ML）和多目标优化无缝集成，本研究将探索完整的设计空间：从异质结构工程、p型场效应晶体管（p-FET）/n型场效应晶体管（n-FET...	JLight	2026-03-30 03:51
导师招生	西交利物浦大学/氮化镓基 CMOS 技术的物理驱动与人工智能增强... 通过将基于物理的工艺计算机辅助设计（TCAD）模拟与机器学习（ML）和多目标优化无缝集成，本研究将探索完整的设计空间：从异质结构工程、p型场效应晶体管（p-FET）/n型场效应晶体管（n-FET...	JLight	2026-03-24 01:43
导师招生	西交利物浦大学/氮化镓基 CMOS 技术的物理驱动与人工智能增强... 通过将基于物理的工艺计算机辅助设计（TCAD）模拟与机器学习（ML）和多目标优化无缝集成，本研究将探索完整的设计空间：从异质结构工程、p型场效应晶体管（p-FET）/n型场效应晶体管（n-FET...	JLight	2026-03-16 08:17
导师招生	【2026博士招生/博后招聘】北京航空航天大学潘彪课题组——AI... 长期担任IEEETCAS-I、TCAS-II、TCAD等多个国际期刊的审稿人。个人主页：'https://shi.buaa.edu.cn/panbiao/zh_CN/index.htm'课题组特色：翼动芯生课题组是一个开放、包容、积极向上的大家庭...	百州百州	2026-03-14 10:07
导师招生	西交利物浦大学/氮化镓基 CMOS 技术的物理驱动与人工智能增强... 通过将基于物理的工艺计算机辅助设计（TCAD）模拟与机器学习（ML）和多目标优化无缝集成，本研究将探索完整的设计空间：从异质结构工程、p型场效应晶体管（p-FET）/n型场效应晶体管（n-FET...	JLight	2026-03-09 01:17
材料综合	硅基器件从材料到工艺产业化完整解决方案 \subsection{验证结果与前沿方法对比}\begin{table}\centering\caption{finfet预测值与intel14nm实验及tcad对比}\begin{tabular}{lcccc}\toprule参数&实验值&本工作&典型tcad（校准后）&...	lion_how	2026-03-03 04:29