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浙江大学杭州国际科创中心诚聘博士后/技术开发专家/工程师
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研究组简介 本课题组隶属于浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室。该研究室在著名半导体材料专家杨德仁院士指导下开展工作，研究室主任为皮孝东教授。 合作导师邓天琪，求是科创学者（“科创百人计划”研究员），获浙江省高层次人才计划支持。邓天琪博士2011年毕业于中国科学技术大学物理学院，2016年毕业于新加坡南洋理工大学（NTU）材料科学与工程学院并获得博士学位。随后分别在新加坡南洋理工大学及新加坡科技研究局（A*STAR）高性能计算研究院（IHPC）展开博士后研究。2021年加入浙江大学杭州国际科创中心。近三年发表SCI论文17篇，其中第一作者7篇，发表于<J. Phys. Chem. Lett.>、 <Phys. Rev. B>、 <Materials Horizons>、 <npj Computational Materials>、 <Advanced Materials>、 <J. Mater. Chem. A>等国际知名专业期刊。 应聘要求 1. 品学兼优，身心健康。博士后/技术开发专家应具有博士学位（包括即将毕业的应届毕业生）。工程师应具有硕士及以上学位。 2. 具有材料、物理、化学等学科背景。 3. 近三年曾作为第一作者至少发表了1 篇具有一定影响力的研究论文。 4. 具有良好的英语听说读写能力。 5. 近三年内获得博士学位，品学兼优，身心健康，年龄原则上不超过35周岁。 6. 加分项：熟悉电子/声子/电热输运理论、具有qe/abinit/siesta等开源第一性原理计算软件经验及掌握python/fortran/c++等编程技术者。 研究方向 欢迎具备计算材料学、凝聚态物理、理论化学等相关学科背景，有第一性原理等计算模拟经验的研究人员加入，合作开展宽禁带半导体材料研究。 方向1, 宽禁带半导体材料电学性质 碳化硅等半导体材料和器件中的载流子散射、寿命与输运。 方向2, 宽禁带半导体材料热学性质 碳化硅等半导体材料热力学、力学与热输运性质。 方向3, 宽禁带半导体材料界面物理 碳化硅等半导体材料的同/异材质界面结构与性质。 待遇 1.博士后原则上税前年薪不低于40万元（含地方政府人才补助）；具体薪酬面议，优秀者可额外提高； 2.博士后出站后留在科创中心工作的，可享受杭州市、萧山区政府相应人才政策，包括80万元安家补助费等； 3.对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的，杭州市、萧山区财政分别给予相应配套资助； 4.提供萧山区人才公寓或科创中心公寓； 5.提供一流的科学研究条件； 6.参与科创中心重大课题研究并取得显著成绩的，可获得额外资助或津贴； 7.在站期间，符合条件者可申报相关系列高级专业技术职务； 8.工作期间表现优秀、业绩突出者，如符合相应要求，可优先推荐申请浙江大学教师岗位或科创中心技术研发岗位。 申请材料 1. 个人简历：学习工作经历、主要研究工作内容等。 2．表明申请人研究能力和学术水平的成果（如学术论文、专利、获奖情况等）。 联系方式 请申请人提供个人简历、成果等附加材料、预计可到岗时间等基本信息，发送主题为“姓名+博士后/技术开发专家/工程师应聘”的邮件至 dengtq@zju.edu.cn。我也欢迎各位研究人员随时邮件联系进一步咨询相关细节。 |
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