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新人 旋涂法制备In2O3 薄膜晶体管的一些问题已有1人参与
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本人刚开始做一些用化学溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管的研究。首先想先采用最常用的In2O3作为沟道层，来制备薄膜晶体管，熟悉制备以及测试的流程方法。我们采用乙二醇甲醚或去离子水作为溶剂，在购买的SiO2/Si 衬底上旋涂制备In2O3薄膜，用溅射法制备源漏电极（文章中多用Al，但是条件有限，我们结合现有条件，采用Au作为源漏电极，不知是否可行？）。但是测试输出特性曲线的时候，一直如下图所示。测试转移特性曲线的时候，曲线一直很平，而且Id电流值很小，电阻特别大，感觉有点不显示，而且曲线又不像探针没压上那样跳来跳去。 求教各位做过氧化物薄膜晶体管的大佬前来指教，非常感谢！如果可行的话，非常希望多多交流！ qq_pic_merged_1543454073237.jpg |
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