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【调剂】北京石油化工学院2024年16个专业接受调剂
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tangtianyu

银虫 (小有名气)

[求助] 在先驱体溶液法制备IGZO TFT 时,测试结果漏电流偏大已有2人参与

本人在使用先驱体溶液法制备IGZO 薄膜晶体管时,旋涂在300nm硅片上300℃回火30min,然后蒸镀电极,结果测试出Gate极漏电流很大,几乎到SD之间的电流的1/10,如图所示 请问有同行知道什么原因会影响这个吗?

本人实验用参考文献
Kim et al. - 2011 - Low-temperature fabrication of high-performance metal oxide thin-film electronics via combustion processing

在先驱体溶液法制备IGZO TFT 时,测试结果漏电流偏大
L300X3.0.2.png
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风在云在

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

单独测一下SiO2介电层的漏电流,有可能是SiO2的问题
2楼2018-09-10 10:00:08
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babangida

铜虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

这是什么测试软件?
问题很好解决,氧化硅质量不好,可以采取以下方法:
1. 表面旋涂一薄层pmma,ps,ots等等的可以有效减少表面缺陷
2. 减小源漏极面积,尽可能小,我一般用0.5×0.5 mm方块
3. 减小测量电压,我看你测到100V了,再好的氧化层也够呛
4. 换家厂家买硅片,一分价钱一分货,比如100多块一片的4英寸硅片大多湿法氧化,薄膜致密性普遍不好
5. 有条件自己用PECVD或ALD长氧化层
3楼2018-09-12 20:07:35
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babangida

铜虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by babangida at 2018-09-12 20:07:35
这是什么测试软件?
问题很好解决,氧化硅质量不好,可以采取以下方法:
1. 表面旋涂一薄层pmma,ps,ots等等的可以有效减少表面缺陷
2. 减小源漏极面积,尽可能小,我一般用0.5×0.5 mm方块
3. 减小测量电压, ...

还有种方法是光刻栅极,自己控制大小比沟道大一点就行,和源漏极尽量少重叠
4楼2018-09-14 10:03:22
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夏虫语冰CC

新虫 (小有名气)

PECVD长的氧化硅质量不好额

发自小木虫Android客户端
5楼2019-04-04 08:34:07
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Z780283717

新虫 (小有名气)

同遇这个问题  跪求楼主解答

发自小木虫Android客户端
6楼2024-03-01 12:39:06
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