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半导体器件的能带分析
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在半导体器件模拟中，n-和p- doped contact layers的能带是平滑的，费米能级没有变化，实际上一定会有电子和空穴的迁移现象，为什么会出现这种情况，而且所有的能带图都是这种情况，用物理知识要怎么解释，求大神帮忙， 发自小木虫Android客户端 |
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