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易水刀客铁杆木虫 (著名写手)
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[求助]
TFT的开启问题
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小白不是学物理的，但是现在从事跟IC相关的工作 非常希望跟一些专业人士学点知识。 如下图 在PMOS电路当中，作为导通电流的载流子实际上是空穴 根据掺杂浓度我们知道S/D当中的浓度要远高于channel 而后者为N掺，实际上空穴为少子 所以，为什么要用少子来开启这个TFT 假设栅极，源漏极的电路不变，即栅极输入仍为低电平， 那么用NMOS管子会是什么结果 理论上，源漏为N掺，则空穴为少子，这时候channel里的空穴为多子 请问下，这个时候电路能导通吗 结果是怎么样的 答的好的，可以追加金币 谢谢。  FET 示意图.PNG |
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