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张三的歌木虫 (正式写手)
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化学腐蚀法制备的硅纳米线能否做到平均直径到10nm左右？
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| 如题，看了很多文献，硅纳米线直径对物理性质(量子尺寸效应)的影响还是很明显的。目前特别细的硅纳米线主要是CVD法做的。而化学腐蚀法制备得到的硅纳米线普遍都很粗，都是一百甚至好几百纳米的，请问这种方法能否将硅纳米线的平均直径控制在10nm左右或者更细？ |
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张三的歌
木虫 (正式写手)
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3楼2016-01-07 16:56:34
【答案】应助回帖
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张三的歌: 回帖置顶 2016-01-07 16:53:34
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可以的。 化学法制备的硅线形貌与催化剂形态密切相关，一般化学法用化学法在硅片表面沉积Ag做催化剂，所得硅线平均直径都在数百纳米以上，很看到直径均一，且小于50纳米的硅线阵列，其原因在于：1)无法在硅片表面获得小颗粒的催化剂，因此所围成间隙也很大，2）Ag催化剂在腐蚀过程中有奥斯瓦尔德熟化，消失的Ag颗粒将导致粗直径的硅线形成，以及硅线阵列的直径不一。 如克服以上两个难点，则不难得到细直径的硅线阵列，如：用离子束技术作为沉积手段在硅片表面形成小颗粒的Au-Ag合金作为催化剂可以得到平均直径在10nm左右的硅纳米线阵列，具体方法可以看这篇文章： DOI: 10.1039/C5NR02876K (Communication) Nanoscale, 2015, 7, 17268-17273 |
2楼2016-01-07 16:51:33
4楼2016-01-07 17:17:19
mengpengbnu
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5楼2018-01-11 22:33:41