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luciferosa木虫之王 (文坛精英)
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CeO2材料氧化预处理后H2-TPR低温区基线抬高的现象已有4人参与
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大家好！本人最近在研究CeO2材料H2-TPR时候发现一个问题。如下图所示，当CeO2经过O2预处理后（300℃，10% O2/He处理10分钟），低温区（<250℃）出现了明显的基线抬高现象，而同样的材料经过还原预处理（300℃，5% H2/Ar处理10分钟）后就没有类似现象。如果先还原，再氧化，还是会出现同样的基线抬高现象。想请教各位大侠这个低温区的基线抬高该怎么解释呀？谢谢啦！ 另：我用的仪器是麦克的 Autochem II 2920，每次氧化（或者还原）处理后都会降至-20℃通入He吹扫10分钟  演示文稿1_副本.jpg |
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