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西风月123

木虫 (著名写手)

引用回帖:
8楼: Originally posted by calos818 at 2015-12-05 16:58:31
谢谢,我也是发现ISIF=3会吃掉真空层,这样就不明白文献上说的真空厚度15埃啥意思。另外,吃掉真空后,再算性质时(ISIF=2)真空是否要变回15埃?搞不懂到底是正确的优化和电子结构计算...

我有一个问题,算性质时,就是一般说的算态密度(DOS)吧?这步静态自洽计算,不是固定原子结构了么?怎么还要设置ISIF=2呢?

我是不是理解错你的问题了吧?
11楼2015-12-05 19:51:24
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calos818

木虫 (著名写手)

新人菜鸟

引用回帖:
11楼: Originally posted by 西风月123 at 2015-12-05 19:51:24
我有一个问题,算性质时,就是一般说的算态密度(DOS)吧?这步静态自洽计算,不是固定原子结构了么?怎么还要设置ISIF=2呢?

我是不是理解错你的问题了吧?...

DOS时ISIF不起作用,因为NSW=0,只算力
12楼2015-12-05 20:19:17
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一川烟草

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
10楼: Originally posted by calos818 at 2015-12-05 19:46:32
我看文献上一般对于单层都没说加vdm甚至不加SOC。vdm不是层之间才考虑么。单层需要么?刚接触,不太懂...

哦哦,没看清。单层的话应该不加
13楼2015-12-05 21:15:52
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14楼2015-12-05 21:17:37
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calos818

木虫 (著名写手)

新人菜鸟

引用回帖:
13楼: Originally posted by 一川烟草 at 2015-12-05 21:15:52
哦哦,没看清。单层的话应该不加...

那此时如何优化结构得到理论上单层MoS2的结构参数呢?ISIF=3还是上面说的ISIF=4 谢谢
15楼2015-12-05 21:29:27
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happyjwx

木虫 (小有名气)

夜半追忆往昔
16楼2015-12-08 07:25:43
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