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荧光寿命的定义，以及与量子产率的关系 已有3人参与
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1、我查阅文献，现在看到三种对荧光寿命的定义： 第一种：电子在激发态停留的时间 第二种：电子从激发态回到基态所用的平均时间 第三种：材料荧光衰减到最强强度的1/e所用的时间 不知道这三种定义，那种是对的？或者说，这三种定义其实是共通的？ 2、荧光寿命和荧光量子产率的关系？ 这个问题是基于第一个问题的基础上的。 现在的想法是，荧光寿命越长，其在激发态停留的时间越长（？），以非辐射方式消耗的能量就会越多，那么其量子产率就会减少了。不知道对不对？ 查阅了很多资料，越看越迷糊，希望大家能够帮忙解答一下，谢谢！ |
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【答案】应助回帖
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鬼面具: 金币+5, ★★★很有帮助 2015-11-25 22:07:08
鬼面具: 金币+5, ★★★很有帮助 2015-11-25 22:07:08
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荧光寿命的定义是第三种，但是从我的理解来说你可以把他当做第一和第二个的结合。 至于绝对的荧光寿命和量子产率来说没有绝对的联系。支持楼上的说法，是和衰减曲线的拟合有关，如果是单指数一般产量会高一点，因为这表示没有其他的去激发通道，只有发光一个辐射通道。 但是从另一角度说，对于有掺杂稀土离子或过渡金属离子的化合物，荧光寿命一般表示其跃迁是否禁戒。禁戒跃迁荧光寿命长，非禁戒的短。从发光强度来讲允许跃迁一般都比禁戒跃迁要强得多，但是这个和量子产率之间的关系我倒不大清楚。 |
7楼2015-11-25 09:57:23
羊毛90
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
鬼面具: 金币+5, ★★★很有帮助 2015-11-23 14:24:20
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我觉得是第三个，首先停留在激发态是不能产生荧光的，寿命是统计学的数据，所有的激发态的激子跃迁回基态过程中，荧光强度呈降低趋势，当荧光强度降低到一定程度，即1/e时所需的时间。到跟单一激子状态，跃迁回基态的过程关系不大。 我也是新手，互相交流～ 发自小木虫IOS客户端 |
2楼2015-11-21 20:52:19
羊毛90
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3楼2015-11-21 20:59:13
送红花一朵 |
嗯嗯，今晚又看到文献有时会同时降低，或者同时增强，我想说的其实是在量子点级别的时候，因为其表面效应很强，若不考虑其他因素影响，表面缺陷越多是不是会造成其荧光寿命更长，而且量子产率下降（因为缺陷态效率更低）？ 还看到一个概念是“激发态寿命”，不知道是什么意思。。。是停留在激发态的时间吗。。 不知道你师兄说的“机制”是什么，能不能举个栗子呢 发自小木虫Android客户端 |
4楼2015-11-22 04:43:13
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