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直流磁控溅射制备金属薄膜,薄膜中氧含量较高 已有2人参与
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| 采用直流磁控溅射制备金属薄膜,直径30mm的小靶,制备的薄膜中一直含有氧,氧含量大于20at%。设备极限真空可以10-6Pa,Ar气也是5个9的高纯Ar气。由于设备限制,沉积前Si片为溅射清洗,但先在上面镀了几十nm的金层,之后再镀膜的。求各位大神赐教,谢谢! |
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15楼2016-01-31 13:22:36
2楼2015-11-18 08:50:34
muxiao-chong
木虫 (正式写手)
炉火纯青
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3楼2015-11-18 08:53:23
dwysd
木虫 (著名写手)
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4楼2015-11-18 10:45:05













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